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公开(公告)号：CN101447369A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810240592.9
申请日：2008-12-25
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01H1/0036 , B81B2201/018 , B81C1/00547
Abstract: 本发明公开了一种基于金属钛的MEMS机械继电器的制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)微加工技术领域。该方法包括：对钛基底光刻图形化，刻蚀形成浅槽；选择热膨胀系数与金属钛匹配的玻璃，在玻璃的表面制备金属连线；将钛基底和玻璃基底进行阳极键合；对钛基底进行背面减薄，光刻图形化，并进行深刻蚀，穿通钛基底，形成MEMS机械继电器。本发明通过阳极键合、化学机械抛光和深刻蚀等工艺，在玻璃衬底上实现低成本、高精度、高深宽比的金属钛三维可动结构的加工，从而实现了基于金属钛的MEMS机械继电器。
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公开(公告)号：CN104934275B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510254389.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制备方法。该场致电子发射阴极阵列包含形貌一致且规则排列的若干金属钼尖锥，采用金属钼基底工艺的方法对金属钼进行平面工艺，使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性。通过金属钼基底工艺加工工艺参数的调整，便于改变针尖的形貌，能够按照场发射电流需求制造出相应的尖锥阵列，加工适合大规模制备。本发明通过金属钼基底加工工艺使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性，增加了工作时同时发射针尖的数量，进一步增大了场发射电流密度，可以得到形状一致性良好的大面积的尖锥阵列。
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公开(公告)号：CN106158512A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510163239.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H49/00 , H01H50/005
Abstract: 本发明涉及一种金属钼基微继电器及其制备方法。该金属钼基微继电器，包括作为弹性回复结构的单端固支悬臂梁，连接该单端固支悬臂梁的静电驱动梳齿结构，以及靠近该单端固支悬臂梁一端的触头，所述单端固支悬臂梁、梳齿结构和触头的材料为金属钼。本发明首次以金属钼作为体材料设计静电驱动微继电器，不仅能很好的解决接触电阻问题，还可以减小系统失效。金属钼基微继电器具有很高的可靠性，可广泛应用于消费类电子、医疗保健、汽车工业、工业自动化及机器人、航空航天、以及物联网领域等。
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公开(公告)号：CN103274350B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310182264.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法。该隔热结构的制备方法包括：1）在基底硅片上加工结构层，并使结构层与基底硅片之间存在一氧化硅隔层；2）在结构层上粘接玻璃衬片；3）从基底硅片的背面进行减薄，然后在预留的隔热区域内进行深刻蚀，形成均匀排列的柱体；4）在基底硅片背面的隔热区域填充Parylene材料；5）在基底硅片背面光刻形成支撑结构；6）剥离基底硅片正面粘接的玻璃衬片。本发明可以兼容postCMOS工艺，隔热区域的有效热阻高，相对于传统的平行沟槽可以节约版图面积，对围道图形限制少，可以提高隔热性能以及器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102437110B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110391525.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制，具有非常高的电导率，有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能，特别有利于高频高速电信号的传输，可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214723B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110145701.0
申请日：2011-06-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体传感器领域，公开了一种半导体辐射敏感装置及其制作方法，该装置包括至少一个辐射敏感单元，辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；第一基体包含第一表面和第二表面；第一柱状电极包含第一金属柱和环绕第一金属柱的N型掺杂硅；第二柱状电极包含第二金属柱和环绕第二金属柱的P型掺杂硅；第一柱状电极和第二柱状电极嵌在第一基体内部，并贯穿第一基体的第一表面和第二表面；所述第二金属柱为两个以上，且排列成正多边形；所述第一柱状电极位于所述正多边形的几何中心。本发明可以实现薄的敏感装置死层厚度、较小的等效电容、较短的信号漂移过程；从而能提高能量分辨率、降低响应时间和降低能量探测下限。
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公开(公告)号：CN102749167A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210210744.7
申请日：2012-06-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种含有硅通孔的压力传感器封装结构，用硅底座代替传统的硼磷硅玻璃基座，采用倒装焊技术、键合技术（如CuSn键合、AuSn共晶键合、Cu-Cu键合、Au-Au键合等）实现压力传感器的气密性真空封装；采用单环和双环式键合金属环封装，在保证测试灵敏度的情况下，对于不同压阻条分布的压力传感器封装起到了减小键合应力的作用；采用导电柱替代金属引线作为信号引出线，增加了互连可靠性。本发明相对于传统采用硅玻静电键合技术、金属引线键合技术、金属隔离膜技术和密闭腔充灌硅油技术的封装结构，取消了充灌硅油和金属隔离膜，有利于提升压力传感器灵敏度，也可用于动态压力检测，同时具有体积小、集成度高的优点。
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公开(公告)号：CN101472212B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200710303971.3
申请日：2007-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种Post-CMOS电容式硅基微传声器及其制备方法，属于微电子半导体器件技术领域。该硅基微传声器包括一硅衬底、带有引出电极的振动膜和穿孔背极板，在硅衬底上制备一绝缘层，从硅衬底的底面刻蚀出一个缺口，该缺口的深度至绝缘层，所述穿孔背极板直接设置在所述绝缘层上，带有引出电极的振动膜直接搭在所述缺口之上，上述穿孔背极板与振动膜之间设有一空气隙。本发明振动膜和背极板均直接做在衬底绝缘层上，通过平面光刻图形定义，在牺牲层释放时，形成振动膜和背极板的横向机械、电学隔离。制作工序简化，可消除过刻蚀和光刻误差形成的寄生电容，改善了器件的性能。
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公开(公告)号：CN102569183A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210053684.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明是一种多层石墨烯垂直互连结构制作方法，包括步骤：S101.在基片上制作垂直孔；S102.在所述基片的表面上制作催化层，所述催化层覆盖所述垂直孔的内表面；S103.在所述催化层上制作石墨烯层；S104.重复制作催化层和石墨烯层，直到获得所需的导电效果；S105.对垂直孔进行填充，直到获得对垂直孔所需的填充效果。通过本发明可以提高垂直互连结构的电信号传输性能。
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