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公开(公告)号:CN109472182B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201710803335.0
申请日:2017-09-08
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K9/00
Abstract: 一种超声波模块及其制造方法,该超声波模块包含基底、复合层、以及覆盖层。基底具有上表面。复合层具有顶面、底面及内陷于底面的内凹面。底面位于基底的上表面上,内凹面与上表面之间形成至少一空间。复合层具有至少一第一沟槽,第一沟槽由顶面朝内凹面延伸。第一沟槽将复合层区隔为电路结构与连接电路结构的超声波结构。覆盖层结合复合层的顶面。
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公开(公告)号:CN107275299B
公开(公告)日:2019-08-20
申请号:CN201710385095.7
申请日:2017-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法,属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底,第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面,第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道,第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道;第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层,导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间;第一衬底的第一表面设有再布线层;第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层,第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能,能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。
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公开(公告)号:CN107275299A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710385095.7
申请日:2017-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法,属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底,第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面,第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道,第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道;第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层,导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间;第一衬底的第一表面设有再布线层;第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层,第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能,能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。
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公开(公告)号:CN102280456B
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201110121051.6
申请日:2011-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括:包括第一硅晶圆、第二硅晶圆,第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件,第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连,红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接,焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接;第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件;第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰,提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。
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公开(公告)号:CN102214624B
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN201110128047.2
申请日:2011-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法,半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔,环形通孔和实心通孔嵌于衬底中;实心通孔是金属填充的通孔;环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为:1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔;2)形成金属层;3)在衬底第一表面上粘附干膜,图形化所述干膜,使干膜在一部分深孔上形成开口;4)向干膜上有开口的的深孔填充金属,去掉所述干膜;5)向剩余深孔中填充介质,形成实心介质塞;6)减薄所述衬底的第二表面。本发明的半导体结构的实心通孔可以用于叠层芯片散热,改善电源完整性;环形通孔则可以改善通孔结构的应力,以及翘曲变形等问题。
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公开(公告)号:CN102937695A
公开(公告)日:2013-02-20
申请号:CN201210400993.2
申请日:2012-10-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板,该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接后,采用普通平面探针台或自动测试设备即可进行晶圆测试,转接板对超薄晶圆提供了良好地机械支撑,不会产生翘曲或碎裂,有利于快速、准确地进行晶圆测试。
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公开(公告)号:CN102214662B
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201110105424.0
申请日:2011-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/22 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆,硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面;硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列,第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路,硅晶圆上设有硅通孔微互连,红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比,本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离,降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量,提高了信号处理电路的性能与可靠性。
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公开(公告)号:CN102437110A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110391525.9
申请日:2011-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法,首先在基片上制作垂直孔;然后在所述基片的表面上制作绝缘层,该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面;然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构,可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制,具有非常高的电导率,有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能,特别有利于高频高速电信号的传输,可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。
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公开(公告)号:CN102024782A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN201010513047.X
申请日:2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/50 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/0557 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片,各层所述芯片之间采用粘结材料粘结,各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层,所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑,所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环,所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接,与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片,所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度,提高了成品率。
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公开(公告)号:CN112216784A
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201910627340.X
申请日:2019-07-12
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/31 , H01L41/333 , G01H11/08 , G06K9/00
Abstract: 本发明提供一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法,所述晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、电性连接层及焊接部。基板组件包含第一晶圆及第二晶圆,第二晶圆覆盖第一晶圆上的凹槽而界定出中空腔体。超声波元件与中空腔体的投影叠合。第一保护层围绕超声波元件。第一晶圆、第二晶圆、第一保护层在第一侧表面与第一导电线路共平面,在第二侧表面与第二导电线路共平面。第二保护层具有开口,传导材料在开口内且接触超声波元件。电性连接层设置于第一侧表面及第二侧表面,焊接部连接电性连接层。
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