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公开(公告)号：CN101445217B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810241103.1
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00039 , B81C2201/0108
Abstract: 本发明公开了一种衬底上基片的微细加工方法，该方法包括：使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底与基片键合在一起，形成衬底上基片；对基片减薄，并深刻蚀形成通孔；对通孔进行回填，再次对基片进行深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间支撑；释放通孔，通过通孔对聚合物进行刻蚀，从而释放结构。或，形成衬底上基片后，基片减薄，并深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑，再对基片深刻蚀形成通孔；通过通孔对聚合物进行刻蚀，最后释放结构。本发明可在衬底上实现多种材料的低成本、高精度、高深宽比三维加工，且工艺与CMOS工艺兼容的微机械加工，可用于加工多种MEMS器件。
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公开(公告)号：CN101445217A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810241103.1
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00039 , B81C2201/0108
Abstract: 本发明公开了一种衬底上基片的微细加工方法，该方法包括：使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底与基片键合在一起，形成衬底上基片；对基片减薄，并深刻蚀形成通孔；对通孔进行回填，再次对基片进行深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间支撑；释放通孔，通过通孔对聚合物进行刻蚀，从而释放结构。或，形成衬底上基片后，基片减薄，并深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑，再对基片深刻蚀形成通孔；通过通孔对聚合物进行刻蚀，最后释放结构。本发明可在衬底上实现多种材料的低成本、高精度、高深宽比三维加工，且工艺与CMOS工艺兼容的微机械加工，可用于加工多种MEMS器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102653391A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210117099.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种金属微小结构的加工方法，其步骤包括：在金属基片背面刻蚀双面对准标记和背面盲孔的对准标记；采用微细电火花工艺在基片背面制作盲孔阵列；采用物理气相沉积方法在基片背面制作金属层；根据产品的结构形状，在基片正面对应区域定义掩膜图形；采用深反应离子刻蚀技术从正面刻蚀基片，至基片背面的金属层时停止刻蚀；去除基片正面剩余的掩膜和基片背面的金属层，释放金属微小结构。也可以先制作正面掩膜后制作背面盲孔阵列。本发明方法可以有效减少金属基片的弯曲和刻蚀中的Footing效应，微小金属结构件释放简单，加工精度高。
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公开(公告)号：CN101472212A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710303971.3
申请日：2007-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种Post－CMOS电容式硅基微传声器及其制备方法，属于微电子半导体器件技术领域。该硅基微传声器包括一硅衬底、带有引出电极的振动膜和穿孔背极板，在硅衬底上制备一绝缘层，从硅衬底的底面刻蚀出一个缺口，该缺口的深度至绝缘层，所述穿孔背极板直接设置在所述绝缘层上，带有引出电极的振动膜直接搭在所述缺口之上，上述穿孔背极板与振动膜之间设有一空气隙。本发明振动膜和背极板均直接做在衬底绝缘层上，通过平面光刻图形定义，在牺牲层释放时，形成振动膜和背极板的横向机械、电学隔离。制作工序简化，可消除过刻蚀和光刻误差形成的寄生电容，改善了器件的性能。
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公开(公告)号：CN106158512A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510163239.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H49/00 , H01H50/005
Abstract: 本发明涉及一种金属钼基微继电器及其制备方法。该金属钼基微继电器，包括作为弹性回复结构的单端固支悬臂梁，连接该单端固支悬臂梁的静电驱动梳齿结构，以及靠近该单端固支悬臂梁一端的触头，所述单端固支悬臂梁、梳齿结构和触头的材料为金属钼。本发明首次以金属钼作为体材料设计静电驱动微继电器，不仅能很好的解决接触电阻问题，还可以减小系统失效。金属钼基微继电器具有很高的可靠性，可广泛应用于消费类电子、医疗保健、汽车工业、工业自动化及机器人、航空航天、以及物联网领域等。
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公开(公告)号：CN101472212B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200710303971.3
申请日：2007-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种Post-CMOS电容式硅基微传声器及其制备方法，属于微电子半导体器件技术领域。该硅基微传声器包括一硅衬底、带有引出电极的振动膜和穿孔背极板，在硅衬底上制备一绝缘层，从硅衬底的底面刻蚀出一个缺口，该缺口的深度至绝缘层，所述穿孔背极板直接设置在所述绝缘层上，带有引出电极的振动膜直接搭在所述缺口之上，上述穿孔背极板与振动膜之间设有一空气隙。本发明振动膜和背极板均直接做在衬底绝缘层上，通过平面光刻图形定义，在牺牲层释放时，形成振动膜和背极板的横向机械、电学隔离。制作工序简化，可消除过刻蚀和光刻误差形成的寄生电容，改善了器件的性能。
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