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公开(公告)号：CN104934275A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510254389.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制备方法。该场致电子发射阴极阵列包含形貌一致且规则排列的若干金属钼尖锥，采用金属钼基底工艺的方法对金属钼进行平面工艺，使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性。通过金属钼基底工艺加工工艺参数的调整，便于改变针尖的形貌，能够按照场发射电流需求制造出相应的尖锥阵列，加工适合大规模制备。本发明通过金属钼基底加工工艺使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性，增加了工作时同时发射针尖的数量，进一步增大了场发射电流密度，可以得到形状一致性良好的大面积的尖锥阵列。
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公开(公告)号：CN104934275B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510254389.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制备方法。该场致电子发射阴极阵列包含形貌一致且规则排列的若干金属钼尖锥，采用金属钼基底工艺的方法对金属钼进行平面工艺，使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性。通过金属钼基底工艺加工工艺参数的调整，便于改变针尖的形貌，能够按照场发射电流需求制造出相应的尖锥阵列，加工适合大规模制备。本发明通过金属钼基底加工工艺使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性，增加了工作时同时发射针尖的数量，进一步增大了场发射电流密度，可以得到形状一致性良好的大面积的尖锥阵列。
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公开(公告)号：CN106158512A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510163239.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H49/00 , H01H50/005
Abstract: 本发明涉及一种金属钼基微继电器及其制备方法。该金属钼基微继电器，包括作为弹性回复结构的单端固支悬臂梁，连接该单端固支悬臂梁的静电驱动梳齿结构，以及靠近该单端固支悬臂梁一端的触头，所述单端固支悬臂梁、梳齿结构和触头的材料为金属钼。本发明首次以金属钼作为体材料设计静电驱动微继电器，不仅能很好的解决接触电阻问题，还可以减小系统失效。金属钼基微继电器具有很高的可靠性，可广泛应用于消费类电子、医疗保健、汽车工业、工业自动化及机器人、航空航天、以及物联网领域等。
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