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公开(公告)号：CN105551910B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610025572.4
申请日：2016-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制作方法，本发明在金属钼基底上首先形成刻蚀掩膜，之后利用刻蚀掩膜对金属钼基底进行高密度离子体干法刻蚀，形成金属钼尖锥，本发明通过在基底上直接形成钼尖锥，彻底解决了与衬底粘附性差的问题，能够承受大电流和强电场。通过高密度离子体干法刻蚀法可以实现对金属钼体材料的高速率、各向同性刻蚀，从而可以同时得到大面积形貌一致的钼尖锥阵列，利于实现大面积的均匀发射。本发明的场致电子发射阴极阵列的制作工艺中仅包含一次光刻，实现了尖锥中心和栅孔中心的无偏差自对准。与现有工艺相比，本发明的技术方案工序少，具有高效、简单和低成本的特点，适合大规模制备。
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公开(公告)号：CN105390475A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510684784.9
申请日：2015-10-20
Applicant: 北京大学 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L21/76879 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明涉及一种衬底内部的电容集成结构，包括衬底，该衬底上设有TSV盲孔，该TSV盲孔从侧壁表面向外依次为隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层，在该衬底表面设有第一电极层、第二电极层的引出电极。其中，衬底为Si衬底或者SOI衬底，TSV盲孔的数量为1个、2个或者多个，隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层采用ALD技术沉积。本发明通过衬底内部横向空腔结构，利用ALD工艺技术实现该结构内侧壁表面薄膜的沉积，进而在衬底内部集成电容，能够增加衬底表面可利用面积，提高集成度。
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公开(公告)号：CN102320563B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110196224.0
申请日：2011-07-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀模拟中最大离子边界角的测量方法，经一次匀胶和两次曝光操作制作负性光刻胶悬空结构，以此悬空结构作为掩膜进行刻蚀实验，通过对实验结果进行形貌分析，并借助于在同一个实验片上同时制作的负性光刻胶粘附结构对各种结构尺寸进行实时在线的精确测量，获得一定刻蚀实验参数设置下的最大离子边界角，用于实现等离子体刻蚀模型中“模型参数”的标定。该方法简单异性，准确度高，且实验流程周期短、成本低，提高了等离子体刻蚀模型及其软件实现的普遍适用性。
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公开(公告)号：CN101905856B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010204623.2
申请日：2010-06-11
Applicant: 北京大学
CPC classification number: A61M37/0015 , A61M2037/003 , A61M2037/0053
Abstract: 本发明公开了一种用于透皮给药的平面空心微针的制备方法，在第一金属基片的一面定义微针流道图形，形成沟道，在另一面定义微针图形，形成切割标记，其中流道图形与微针图形的中心轴对准；取第二金属基片与第一金属基片的沟道面键合在一起；减薄第二金属基片的非键合面，并将第一金属基片上的切割标记对准转移到第二金属基片的非键合面上；减薄第一金属基片的非键合面，然后对准第二金属基片上的切割标记切割，形成平面空心微针。该方法基于微机械加工技术，同时结合了传统的机械加工和切割技术，降低了工艺难度，并增强了微针的使用可靠性，有利于批量生产。
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公开(公告)号：CN102653391A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210117099.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种金属微小结构的加工方法，其步骤包括：在金属基片背面刻蚀双面对准标记和背面盲孔的对准标记；采用微细电火花工艺在基片背面制作盲孔阵列；采用物理气相沉积方法在基片背面制作金属层；根据产品的结构形状，在基片正面对应区域定义掩膜图形；采用深反应离子刻蚀技术从正面刻蚀基片，至基片背面的金属层时停止刻蚀；去除基片正面剩余的掩膜和基片背面的金属层，释放金属微小结构。也可以先制作正面掩膜后制作背面盲孔阵列。本发明方法可以有效减少金属基片的弯曲和刻蚀中的Footing效应，微小金属结构件释放简单，加工精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102320563A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110196224.0
申请日：2011-07-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀模拟中最大离子边界角的测量方法，经一次匀胶和两次曝光操作制作负性光刻胶悬空结构，以此悬空结构作为掩膜进行刻蚀实验，通过对实验结果进行形貌分析，并借助于在同一个实验片上同时制作的负性光刻胶粘附结构对各种结构尺寸进行实时在线的精确测量，获得一定刻蚀实验参数设置下的最大离子边界角，用于实现等离子体刻蚀模型中“模型参数”的标定。该方法简单异性，准确度高，且实验流程周期短、成本低，提高了等离子体刻蚀模型及其软件实现的普遍适用性。
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公开(公告)号：CN102280456A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110121051.6
申请日：2011-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。
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公开(公告)号：CN101472212A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710303971.3
申请日：2007-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种Post－CMOS电容式硅基微传声器及其制备方法，属于微电子半导体器件技术领域。该硅基微传声器包括一硅衬底、带有引出电极的振动膜和穿孔背极板，在硅衬底上制备一绝缘层，从硅衬底的底面刻蚀出一个缺口，该缺口的深度至绝缘层，所述穿孔背极板直接设置在所述绝缘层上，带有引出电极的振动膜直接搭在所述缺口之上，上述穿孔背极板与振动膜之间设有一空气隙。本发明振动膜和背极板均直接做在衬底绝缘层上，通过平面光刻图形定义，在牺牲层释放时，形成振动膜和背极板的横向机械、电学隔离。制作工序简化，可消除过刻蚀和光刻误差形成的寄生电容，改善了器件的性能。
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公开(公告)号：CN101364044A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810223049.8
申请日：2008-09-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃上基片的微细加工方法，该方法包括：使用光敏聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将玻璃片与基片键合在一起，形成玻璃上基片；透过玻璃片对光敏聚合物进行背面曝光，将掩模图形转移到中间黏附层上，定义中间层图形；基片减薄并深刻蚀形成通孔；对曝光过的光敏聚合物进行显影，释放结构。本发明可在玻璃衬底上实现多种材料的低成本、高精度、高深宽比三维加工，且工艺与CMOS工艺兼容的微机械加工，可用于加工多种MEMS器件。
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公开(公告)号：CN109110726A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810714556.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法，步骤包括：在钨合金基底上生长硬掩膜；在硬掩膜上旋涂第一层光刻胶，经光刻、显影，形成第一层光刻胶图形；依据该第一层光刻胶图形刻蚀硬掩膜，形成硬掩膜图形；旋涂第二层光刻胶，经光刻、显影，形成第二层光刻胶图形；依据该第二层光刻胶图形进行第一次钨合金刻蚀，在开口面积较小区域的钨合金基底上刻蚀的深度达到负载效应量；去除剩余的第二层光刻胶，依据上述硬掩膜图形进行第二次钨合金刻蚀，以在开口面积较大和较小区域的钨合金基底上刻蚀到同等深度。
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