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公开(公告)号：CN104934275B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510254389.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制备方法。该场致电子发射阴极阵列包含形貌一致且规则排列的若干金属钼尖锥，采用金属钼基底工艺的方法对金属钼进行平面工艺，使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性。通过金属钼基底工艺加工工艺参数的调整，便于改变针尖的形貌，能够按照场发射电流需求制造出相应的尖锥阵列，加工适合大规模制备。本发明通过金属钼基底加工工艺使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性，增加了工作时同时发射针尖的数量，进一步增大了场发射电流密度，可以得到形状一致性良好的大面积的尖锥阵列。
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公开(公告)号：CN105551910A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610025572.4
申请日：2016-01-14
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J9/025
Abstract: 本发明公开了一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制作方法，本发明在金属钼基底上首先形成刻蚀掩膜，之后利用刻蚀掩膜对金属钼基底进行高密度离子体干法刻蚀，形成金属钼尖锥，本发明通过在基底上直接形成钼尖锥，彻底解决了与衬底粘附性差的问题，能够承受大电流和强电场。通过高密度离子体干法刻蚀法可以实现对金属钼体材料的高速率、各向同性刻蚀，从而可以同时得到大面积形貌一致的钼尖锥阵列，利于实现大面积的均匀发射。本发明的场致电子发射阴极阵列的制作工艺中仅包含一次光刻，实现了尖锥中心和栅孔中心的无偏差自对准。与现有工艺相比，本发明的技术方案工序少，具有高效、简单和低成本的特点，适合大规模制备。
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公开(公告)号：CN104934275A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510254389.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制备方法。该场致电子发射阴极阵列包含形貌一致且规则排列的若干金属钼尖锥，采用金属钼基底工艺的方法对金属钼进行平面工艺，使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性。通过金属钼基底工艺加工工艺参数的调整，便于改变针尖的形貌，能够按照场发射电流需求制造出相应的尖锥阵列，加工适合大规模制备。本发明通过金属钼基底加工工艺使尖锥阵列的形貌具有很高的一致性，增加了工作时同时发射针尖的数量，进一步增大了场发射电流密度，可以得到形状一致性良好的大面积的尖锥阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104864010A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410058128.3
申请日：2014-02-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS弹簧的微型减振平台。本发明的微型减振平台主要由三层单元隔振平台组成，上层和中层单元隔振平台的下表面都均匀涂有减振胶，中层和下层单元隔振平台的上表面有凸台阵列，每层单元隔振平台的四周设有平面弹簧，平面弹簧的外围设有边框。本发明的微型减振平台通过平面弹簧形变及凸台阵列和减振胶的完全非弹性碰撞，可有效延长撞击时间并吸收冲击的能量。凸台阵列和减振胶撞击后三层平台成为一个整体，弹簧刚度成倍增加，实现了大阻尼减振。若在液体环境中使用，高频冲击下平面弹簧与隔振平台之间的间隔以及每层隔振平台之间的间隔可以产生较大的滑膜阻尼和压膜阻尼。其主体结构为硅基材料，适合采用MEMS工艺大规模制备。
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公开(公告)号：CN105551910B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610025572.4
申请日：2016-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属钼基底的场致电子发射阴极阵列及其制作方法，本发明在金属钼基底上首先形成刻蚀掩膜，之后利用刻蚀掩膜对金属钼基底进行高密度离子体干法刻蚀，形成金属钼尖锥，本发明通过在基底上直接形成钼尖锥，彻底解决了与衬底粘附性差的问题，能够承受大电流和强电场。通过高密度离子体干法刻蚀法可以实现对金属钼体材料的高速率、各向同性刻蚀，从而可以同时得到大面积形貌一致的钼尖锥阵列，利于实现大面积的均匀发射。本发明的场致电子发射阴极阵列的制作工艺中仅包含一次光刻，实现了尖锥中心和栅孔中心的无偏差自对准。与现有工艺相比，本发明的技术方案工序少，具有高效、简单和低成本的特点，适合大规模制备。
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公开(公告)号：CN103274349A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310149322.8
申请日：2013-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种热应力隔离的MEMS微加热器互联基板及其制备方法。本发明的MEMS微加热器互联基板包括：在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成加热电阻；在加热电阻上形成第一隔离层，加热电阻镶嵌在第一隔离层的下表面；在第一隔离层上形成热沉；在热沉上形成第二隔离层；在第二隔离层上互联层；在衬底的四周设置弹簧；在弹簧的外围设置边框。本发明的MEMS微加热器互联基板，通过四周弹簧结构的设计能实现衬底热应力吸收，使MEMS微加热器互联基板具有热应力隔离的功能，该MEMS微加热器互联基板包含互联层，支持多芯片互联，并且主体结构为硅基材料，与半导体芯片的热匹配性很好，可采用MEMS工艺加工，适用于大规模制备。
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公开(公告)号：CN104163397B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201410342430.1
申请日：2014-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的方法。该方法直接对金属钛片表面进行等离子体处理，通过控制调节等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的工艺参数，包括平板功率、刻蚀时间、线圈功率、刻蚀气体流量、反应室压强、温度，在无需任何纳米尺度光刻工艺的条件下即可在金属钛表面生成大面积、高密度的纳米柱阵列结构。其中等离子体刻蚀系统的平板功率为50～150W。该制备钛纳米柱结构的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺相容。
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公开(公告)号：CN104163397A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410342430.1
申请日：2014-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的方法。该方法直接对金属钛片表面进行等离子体处理，通过控制调节等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的工艺参数，包括平板功率、刻蚀时间、线圈功率、刻蚀气体流量、反应室压强、温度，在无需任何纳米尺度光刻工艺的条件下即可在金属钛表面生成大面积、高密度的纳米柱阵列结构。其中等离子体刻蚀系统的平板功率为50～150W。该制备钛纳米柱结构的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺相容。
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