公开(公告)号：CN102372250A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110362347.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  胡佳 ,  张轶铭 ,  陈书慧 ,  李男男 ,  李天宇

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种刻蚀金属钨材料的方法，在金属钨材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体(如ICP、TCP等)干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钨体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2.95微米每分钟，刻蚀结果侧壁的陡直度可达60°。基于本发明的方法，可利用金属钨衬底基片作为制备MEMS器件的主体材料。

公开(公告)号：CN102653391A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210117099.4

申请日：2012-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  单一 ,  张轶铭 ,  罗进 ,  李天宇 ,  胡佳

IPC: B81C1/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种金属微小结构的加工方法，其步骤包括：在金属基片背面刻蚀双面对准标记和背面盲孔的对准标记；采用微细电火花工艺在基片背面制作盲孔阵列；采用物理气相沉积方法在基片背面制作金属层；根据产品的结构形状，在基片正面对应区域定义掩膜图形；采用深反应离子刻蚀技术从正面刻蚀基片，至基片背面的金属层时停止刻蚀；去除基片正面剩余的掩膜和基片背面的金属层，释放金属微小结构。也可以先制作正面掩膜后制作背面盲孔阵列。本发明方法可以有效减少金属基片的弯曲和刻蚀中的Footing效应，微小金属结构件释放简单，加工精度高。

公开(公告)号：CN103274350A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310182264.9

申请日：2013-05-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  李天宇 ,  李男男

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法。该隔热结构的制备方法包括：1）在基底硅片上加工结构层，并使结构层与基底硅片之间存在一氧化硅隔层；2）在结构层上粘接玻璃衬片；3）从基底硅片的背面进行减薄，然后在预留的隔热区域内进行深刻蚀，形成均匀排列的柱体；4）在基底硅片背面的隔热区域填充Parylene材料；5）在基底硅片背面光刻形成支撑结构；6）剥离基底硅片正面粘接的玻璃衬片。本发明可以兼容postCMOS工艺，隔热区域的有效热阻高，相对于传统的平行沟槽可以节约版图面积，对围道图形限制少，可以提高隔热性能以及器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103274350B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310182264.9

申请日：2013-05-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  李天宇 ,  李男男

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法。该隔热结构的制备方法包括：1）在基底硅片上加工结构层，并使结构层与基底硅片之间存在一氧化硅隔层；2）在结构层上粘接玻璃衬片；3）从基底硅片的背面进行减薄，然后在预留的隔热区域内进行深刻蚀，形成均匀排列的柱体；4）在基底硅片背面的隔热区域填充Parylene材料；5）在基底硅片背面光刻形成支撑结构；6）剥离基底硅片正面粘接的玻璃衬片。本发明可以兼容postCMOS工艺，隔热区域的有效热阻高，相对于传统的平行沟槽可以节约版图面积，对围道图形限制少，可以提高隔热性能以及器件的可靠性。