-
公开(公告)号：CN103253628A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310161746.6
申请日：2013-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深刻蚀技术的微小金属零件制备及装配方法。本方法为：1)在第一基片上制备若干固定零件部件；2)在一复合基片的零件层上刻蚀制备用于与所述固定零件部件装配的若干零件部件；其中，所述复合基片包括支撑层、零件层以及将所述支撑层与零件层键合在一起的中间层；3)利用键合机将第一基片与复合基片对准键合，得到一键合片；4)按零件单元大小对键合片进行划分；然后将复合基片上的零件释放，实现所述固定零件部件与复合基片上的零件部件装配。本方法适用于圆片级的制备与装配，可以实现大批量零件并行加工及装配，效率高、装配精度高、一致性高、成本低。
-
-
公开(公告)号：CN104163397B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201410342430.1
申请日：2014-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的方法。该方法直接对金属钛片表面进行等离子体处理，通过控制调节等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的工艺参数，包括平板功率、刻蚀时间、线圈功率、刻蚀气体流量、反应室压强、温度，在无需任何纳米尺度光刻工艺的条件下即可在金属钛表面生成大面积、高密度的纳米柱阵列结构。其中等离子体刻蚀系统的平板功率为50～150W。该制备钛纳米柱结构的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺相容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103253628B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310161746.6
申请日：2013-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深刻蚀技术的微小金属零件制备及装配方法。本方法为：1)在第一基片上制备若干固定零件部件；2)在一复合基片的零件层上刻蚀制备用于与所述固定零件部件装配的若干零件部件；其中，所述复合基片包括支撑层、零件层以及将所述支撑层与零件层键合在一起的中间层；3)利用键合机将第一基片与复合基片对准键合，得到一键合片；4)按零件单元大小对键合片进行划分；然后将复合基片上的零件释放，实现所述固定零件部件与复合基片上的零件部件装配。本方法适用于圆片级的制备与装配，可以实现大批量零件并行加工及装配，效率高、装配精度高、一致性高、成本低。
-
公开(公告)号：CN104163397A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410342430.1
申请日：2014-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的方法。该方法直接对金属钛片表面进行等离子体处理，通过控制调节等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的工艺参数，包括平板功率、刻蚀时间、线圈功率、刻蚀气体流量、反应室压强、温度，在无需任何纳米尺度光刻工艺的条件下即可在金属钛表面生成大面积、高密度的纳米柱阵列结构。其中等离子体刻蚀系统的平板功率为50～150W。该制备钛纳米柱结构的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺相容。
-
公开(公告)号：CN103274350A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310182264.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法。该隔热结构的制备方法包括：1）在基底硅片上加工结构层，并使结构层与基底硅片之间存在一氧化硅隔层；2）在结构层上粘接玻璃衬片；3）从基底硅片的背面进行减薄，然后在预留的隔热区域内进行深刻蚀，形成均匀排列的柱体；4）在基底硅片背面的隔热区域填充Parylene材料；5）在基底硅片背面光刻形成支撑结构；6）剥离基底硅片正面粘接的玻璃衬片。本发明可以兼容postCMOS工艺，隔热区域的有效热阻高，相对于传统的平行沟槽可以节约版图面积，对围道图形限制少，可以提高隔热性能以及器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN103274350B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310182264.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法。该隔热结构的制备方法包括：1）在基底硅片上加工结构层，并使结构层与基底硅片之间存在一氧化硅隔层；2）在结构层上粘接玻璃衬片；3）从基底硅片的背面进行减薄，然后在预留的隔热区域内进行深刻蚀，形成均匀排列的柱体；4）在基底硅片背面的隔热区域填充Parylene材料；5）在基底硅片背面光刻形成支撑结构；6）剥离基底硅片正面粘接的玻璃衬片。本发明可以兼容postCMOS工艺，隔热区域的有效热阻高，相对于传统的平行沟槽可以节约版图面积，对围道图形限制少，可以提高隔热性能以及器件的可靠性。
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.016 seconds)
