公开(公告)号：CN102417156A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110362349.6

申请日：2011-11-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  胡佳 ,  张轶铭 ,  陈书慧 ,  李男男 ,  罗进

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体(如ICP、TCP等)干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钼体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2.63微米每分钟，刻蚀结果侧壁的陡直度可达70°。基于本发明的方法，可利用金属钼衬底基片作为制备MEMS器件的主体材料。

公开(公告)号：CN102372250A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110362347.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  胡佳 ,  张轶铭 ,  陈书慧 ,  李男男 ,  李天宇

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种刻蚀金属钨材料的方法，在金属钨材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体(如ICP、TCP等)干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钨体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2.95微米每分钟，刻蚀结果侧壁的陡直度可达60°。基于本发明的方法，可利用金属钨衬底基片作为制备MEMS器件的主体材料。