一种MEMS热式声粒子传感器

    公开(公告)号:CN107917750B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201610878685.9

    申请日:2016-10-08

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明(一种MEMS热式声粒子传感器)涉及微电子机械加工领域,尤其涉及一种MEMS热式声粒子传感器的设计方法。目前已有的MEMS热式声粒子传感器都是基于两线式流量计原理,自噪声较大,且高频特性较差。为解决这种问题,本发明提供了一种MEMS三线式热式声粒子传感器结构,可应用于声源定位。该传感器为三层悬臂梁结构,由上下极板粘接而成,包括左右两个正交平面的测量单元。每个测量单元上下两层各有两根感温电阻悬臂梁,中层有一根来自上极板或下极板的加热电阻悬臂梁。上下层的四根悬臂梁组成矩形,中层的悬臂梁位于矩形中心。加工步骤包括:每个测量单元的上下极板的正、反两面各制作三根悬臂梁,去掉上下极板中多余的悬臂梁,将上下极板粘接在一起。

    高散热性硅/玻璃复合转接板及其制造方法

    公开(公告)号:CN108735693B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201810330872.2

    申请日:2018-04-13

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供一种高散热性硅/玻璃复合转接板。包括依次层叠的下层硅片、上层硅片及玻璃片;其中,所述下层硅片背面形成有叉指状冷却液进出流道,正面形成有与冷却液进出流道的两端连通的冷却液进出口;所述上层硅片背面形成有与冷却液进出流道连通的毛细微流道,正面形成有至少一键合凸起部;所述玻璃片通过该键合凸起部与上层玻璃片键合。该复合转接板具有高散热性能,流阻小的优点,且提供一个良好的电介质环境,为射频领域中实现高散热且良好电绝缘转接板提供一套成熟可行的解决方案。同时提供上述转接板的制造方法。

    一种微通道换热器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107275299B

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201710385095.7

    申请日:2017-05-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法,属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底,第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面,第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道,第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道;第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层,导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间;第一衬底的第一表面设有再布线层;第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层,第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能,能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。

    一种微通道换热器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107275299A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710385095.7

    申请日:2017-05-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法,属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底,第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面,第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道,第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道;第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层,导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间;第一衬底的第一表面设有再布线层;第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层,第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能,能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。

    一种含有硅通孔的压力传感器封装结构

    公开(公告)号:CN102749167B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201210210744.7

    申请日:2012-06-20

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提出一种含有硅通孔的压力传感器封装结构,用硅底座代替传统的硼磷硅玻璃基座,采用倒装焊技术、键合技术(如CuSn键合、AuSn共晶键合、Cu-Cu键合、Au-Au键合等)实现压力传感器的气密性真空封装;采用单环和双环式键合金属环封装,在保证测试灵敏度的情况下,对于不同压阻条分布的压力传感器封装起到了减小键合应力的作用;采用导电柱替代金属引线作为信号引出线,增加了互连可靠性。本发明相对于传统采用硅玻静电键合技术、金属引线键合技术、金属隔离膜技术和密闭腔充灌硅油技术的封装结构,取消了充灌硅油和金属隔离膜,有利于提升压力传感器灵敏度,也可用于动态压力检测,同时具有体积小、集成度高的优点。

    一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102544186B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201210015141.1

    申请日:2012-01-17

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区,两个有源区中一个为圆形,另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构,使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度,有效增大了两个有源区的距离,即增大了探测器I区的有效厚度,突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外,环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。

    一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法

    公开(公告)号:CN102280456B

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201110121051.6

    申请日:2011-05-11

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括:包括第一硅晶圆、第二硅晶圆,第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件,第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连,红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接,焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接;第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件;第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰,提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。

    一种具有通孔的半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN102214624B

    公开(公告)日:2013-05-29

    申请号:CN201110128047.2

    申请日:2011-05-17

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: H01L2224/13

    Abstract: 本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法,半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔,环形通孔和实心通孔嵌于衬底中;实心通孔是金属填充的通孔;环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为:1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔;2)形成金属层;3)在衬底第一表面上粘附干膜,图形化所述干膜,使干膜在一部分深孔上形成开口;4)向干膜上有开口的的深孔填充金属,去掉所述干膜;5)向剩余深孔中填充介质,形成实心介质塞;6)减薄所述衬底的第二表面。本发明的半导体结构的实心通孔可以用于叠层芯片散热,改善电源完整性;环形通孔则可以改善通孔结构的应力,以及翘曲变形等问题。

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