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公开(公告)号：CN102637789A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210126306.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆级LED管芯整体集成封装装置，包括：一模具，包括下模具和上模具，该下模具的表面开有模穴，该上模具内为一真空腔室，其下面开有多个吸气孔；一真空泵，其通过管路与上模具内的真空腔室连接。本发明具有批量化、产业化的优点，且成本低廉。
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公开(公告)号：CN102569567A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210075711.6
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在非故意掺杂氮化镓上生长氮化镓应力控制层；步骤6：在氮化镓应力控制层上生长依次生长N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，得到完整LED外延结构。本发明可以提高发光二极管外延质量，调制外延层中因为晶格失配带来的应力，并有效的改善发光二极管的漏电和抗静电性能。
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公开(公告)号：CN102231421A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110198263.4
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种发光二极管封装结构的制作方法，包括以下步骤：在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层；光刻在p型层上面的一侧向下到达n型层的表面形成第一台面，在另一侧向下刻蚀到达绝缘衬底的表面，形成第二台面；在第一、二台面上制作导电通孔并填充导电金属；在靠近第二台面的一侧并覆盖部分p型层的上表面，制作绝缘层；在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极；在第一台面上的导电通孔上制作n电极；将绝缘衬底减薄；在绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极，以上得到器件的基底；在器件的基底上封装一光学元件，完成基底上器件的制作；采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。
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公开(公告)号：CN101976712A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010263076.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层和衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜上形成一层纳米尺寸胶点；步骤3：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该需要粗化的薄膜；步骤4：湿法去除光刻胶并清洗，完成薄膜的粗化。本发明提供的这种粗化方法，具有低温、低成本、低污染及与传统的LED工艺相兼容等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101974772A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010251510.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；在氮化镓LED层上采用电镀方法制作一次电镀层；对一次电镀层进行减薄抛光处理，使其表面光亮平整；用激光刻划方法在一次电镀层的表面上制作激光刻划图形，作为光刻对准标记；运用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在一次电镀层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖一次电镀层周边部分面积；继续电镀，在一次电镀层和光刻胶图形上制作二次电镀层；剥离光刻胶图形的光刻胶，裸露出光刻胶图形下的一次电镀层，该一次电镀层和二次电镀层构成氮化镓基垂直结构发光二极管的转移衬底；清洗吹干，完成垂直结构发光二极管转移衬底的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101969088A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010263069.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤1：准备并清洗衬底；步骤2：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。本发明提供的这种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，具有易操作、低成本、低污染等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101937956A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010251507.6
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/36
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极；然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作N电极，该N电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。
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公开(公告)号：CN101899706A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010201505.6
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。
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公开(公告)号：CN101469451A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304210.X
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/38 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/205 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种高性能氮化物材料的低成本外延方法。包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长成核层；采用氢化物气相外延(HVPE)模式生长铝镓铟氮(AlGaIn)N缓冲层；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长光电子材料的器件结构。通过本发明可以实现高性能氮化物外延材料的低成本生长，发挥HVPE和MOCVD结合的最大性能。
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公开(公告)号：CN101445956A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178325.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/00
Abstract: 本发明是一种氮化物薄膜外延生长的方法，其包含下列步骤：首先直接升高衬底的温度到氮化物薄膜的生长温度；接着在生长初期，通过生长设备的计算机程序控制氨气(NH3)和III族源材料的输入开关，使氨气(NH3)和III族源材料交替脉冲地输入生长反应室；在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该过程会在衬底的表面形成一层成核层；然后高晶体质量的氮化物薄膜及其器件结构可生长在该成核层上。该方法可简化制备工艺、减少生长时间，因而可降低生长成本，提高生长效率。该方法利于高晶体质量、低位错密度的氮化物薄膜材料的生长。
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