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公开(公告)号：CN101899706A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010201505.6
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。
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公开(公告)号：CN101445956A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178325.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/00
Abstract: 本发明是一种氮化物薄膜外延生长的方法，其包含下列步骤：首先直接升高衬底的温度到氮化物薄膜的生长温度；接着在生长初期，通过生长设备的计算机程序控制氨气(NH3)和III族源材料的输入开关，使氨气(NH3)和III族源材料交替脉冲地输入生长反应室；在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该过程会在衬底的表面形成一层成核层；然后高晶体质量的氮化物薄膜及其器件结构可生长在该成核层上。该方法可简化制备工艺、减少生长时间，因而可降低生长成本，提高生长效率。该方法利于高晶体质量、低位错密度的氮化物薄膜材料的生长。
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公开(公告)号：CN101330002A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710117617.1
申请日：2007-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H2O混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧化硅膜作为掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；利用稀氢氟酸溶液湿法腐蚀去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形蓝宝石衬底的制备。该制作方法具有成本低、使蓝宝石衬底免于干法刻蚀损伤等优点。该图形蓝宝石衬底可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长。
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公开(公告)号：CN101794851A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010113816.7
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证三角形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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公开(公告)号：CN101794850A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010113804.4
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100563036C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710118632.8
申请日：2007-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；光刻出光刻胶图形阵列；以光刻胶图形阵列作掩膜，刻蚀出具有图形结构的二氧化硅膜；以具有图形结构的二氧化硅膜作为掩膜，刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；将蓝宝石衬底清洗干净；形成横截面为三角形的金字塔结构；在图形蓝宝石衬底上生长低温成核层；在低温成核层上继续升高温度生长n型掺杂的GaN层，生长出低位错密度且表面具有V形坑阵列结构；继续生长LED结构材料所需的多量子阱层和p型材料层，并使最终的表面仍具有V形坑阵列结构。
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公开(公告)号：CN101373714A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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公开(公告)号：CN101794850B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010113804.4
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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公开(公告)号：CN101894651A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010201489.0
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01F1/40 , H01F10/193 , H01F41/00
Abstract: 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的非极性GaN基稀磁半导体材料。非极性GaN基稀磁半导体材料具有独特的面内结构、光学、电学和磁学性质的各向异性分布特性。非极性GaN基稀磁半导体材料的高居里温度性质和独特的面内各向异性分布规律，使其在磁光、磁电等领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN100587919C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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