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公开(公告)号：CN109560784B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893347.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106341094A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610751285.1
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02007 , H03H9/02015 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供了一种体声波器件的制备方法。采用垂直结构发光二极管工艺中常见的激光剥离、电镀铜和倒装焊工艺，有效解决了单晶体声波器件制备过程中难以在底部金属电极上制备高质量单晶氮化物材料这一技术难题，为高性能体声波器件的制备奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103311097A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196493.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。
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公开(公告)号：CN103165775A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310117217.6
申请日：2013-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法，其涉及微电子技术领域，主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有高反射薄膜，用于将光反射后从器件底部发射出去。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过高反射薄膜的反射，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域中。
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公开(公告)号：CN101794851A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010113816.7
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证三角形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794850A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010113804.4
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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公开(公告)号：CN109560785B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893348.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106341095A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610797852.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波谐振器相比，此种谐振器的压电材料由两部分组成，包括采用低温磁控溅射技术制备的AlN成核层和在AlN成核层上采用MOCVD技术制备的高质量单晶氮化物薄膜。AlN成核层可覆盖底部金属电极，因此可有效改善氮化物薄膜质量，克服制备高质量单晶氮化物薄膜时遇到的问题与挑战，从而有望获得高性能的单晶氮化物体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN103268910B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310144380.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米圆环的制备方法，包括：步骤1、在光电器件需要形成金属纳米圆环的薄膜表面依次生长介质层和第一金属层；步骤2、通过退火工艺使所述第一金属薄膜形成金属纳米颗粒；步骤3、以金属纳米颗粒为掩模，刻蚀所述介质层形成介质纳米颗粒；步骤4、去除金属纳米颗粒，并在带有所述介质纳米颗粒的器件表面和所述介质纳米颗粒的顶部与侧壁生长至少一层第二金属薄膜，刻蚀所述至少一层第二金属薄膜，仅保留所述介质纳米颗粒侧壁的第二金属薄膜；步骤5、去除所述介质纳米颗粒，最终形成金属纳米圆环。
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公开(公告)号：CN103137822B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310057268.4
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；一顶电极，其制作在P型GaN层上；一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；一金属层，其制作在基底的背面。本发明采用等离激元技术提高出光效率和内量子效率。
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