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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101295636A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710098702.8
申请日：2007-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明一种高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上淀积一层金属薄层；步骤2：进行退火处理，使金属薄层自组织形成无定形的、微米尺度的金属掩膜的图形；步骤3：进行干法刻蚀，将金属掩膜的图形转移到衬底；步骤4：采用湿法腐蚀的方法，去掉残余的金属掩膜，并将衬底清洗干净，制备完成图形衬底。
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公开(公告)号：CN101330002A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710117617.1
申请日：2007-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H2O混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧化硅膜作为掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；利用稀氢氟酸溶液湿法腐蚀去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形蓝宝石衬底的制备。该制作方法具有成本低、使蓝宝石衬底免于干法刻蚀损伤等优点。该图形蓝宝石衬底可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长。
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公开(公告)号：CN101445956A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178325.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/00
Abstract: 本发明是一种氮化物薄膜外延生长的方法，其包含下列步骤：首先直接升高衬底的温度到氮化物薄膜的生长温度；接着在生长初期，通过生长设备的计算机程序控制氨气(NH3)和III族源材料的输入开关，使氨气(NH3)和III族源材料交替脉冲地输入生长反应室；在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该过程会在衬底的表面形成一层成核层；然后高晶体质量的氮化物薄膜及其器件结构可生长在该成核层上。该方法可简化制备工艺、减少生长时间，因而可降低生长成本，提高生长效率。该方法利于高晶体质量、低位错密度的氮化物薄膜材料的生长。
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公开(公告)号：CN101373714A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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公开(公告)号：CN100587919C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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