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公开(公告)号：CN101819925B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010162506.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。
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公开(公告)号：CN101914762A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010269018.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构，该结构包括进气顶盘法兰和水冷匀气板，该进气顶盘法兰为一圆形金属盘状结构，中间为圆形凹坑，沿圆形凹坑径向用板条隔开，分为2n个扇形区，n为大于1的整数；该水冷匀气板分为有机源水冷匀气板和氢化物气体水冷匀气板，每一个扇形区对应一个水冷匀气板。利用本发明，可以使反应气体均匀的进入反应室内，使反应室内气体达到均匀生长的气流模式。
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公开(公告)号：CN101807520A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010128387.0
申请日：2010-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：步骤1：选取一个衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层，利于成核；步骤3：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；步骤4：在低温缓冲层上生长极性宽禁带半导体化合物，完成p型金属极性宽禁带半导体的制备。
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公开(公告)号：CN1881533A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510076325.9
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18 , C23C16/34
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。
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公开(公告)号：CN106992232A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710148171.2
申请日：2017-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: 一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管，包括：一n型GaN基化合物半导体层；一量子阱或异质结有源层，其制作在n型GaN基化合物半导体层上；一p型GaN基化合物半导体层，其制作在量子阱或异质结有源层上；一P电极，其制作在p型GaN基化合物半导体层的上面；一N电极，其制作在n型GaN基化合物半导体层的另一面上；其中n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层、p型GaN基化合物半导体层、P电极和N电极构成单颗晶粒。本发明可以降低GaN基LED使用成本，拓展GaN基LED的应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104532208A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510005154.4
申请日：2015-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/44 , C30B25/08
Abstract: 本发明公开了一种的氮化物外延装置，包括真空腔室、溅射腔室和至少一个外延生长腔室；所述溅射腔室和至少一个外延生长腔室位于所述真空腔室内，所述溅射腔室用于在衬底上生长缓冲层，所述至少一个外延生长腔室用于在生长了缓冲层的衬底上外延生长氮化物。本发明具有两个或者以上的独立生长室，其中一个专用于使用溅射方法生长AlN缓冲层，能够降低生长温度，减少工艺周期时间，增加产出；其余腔室使用MOCVD方法在溅射AlN缓冲层上外延氮化物薄膜，也可以根据生长需要增加更多独立生长室做特定生长用途。各个独立生长室可以放置于一个公共的真空洁净环境中，外延片通过可以承受一定温度工作的机械手在各个腔室之间传递。
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公开(公告)号：CN104166181A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410440446.6
申请日：2014-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体的制造方法，其包括：设计制作光子晶体的掩膜板，所述掩膜板上的图形或图形组合必须是周期分布的；布置光路，将用于制作光子晶体的材料置于所述掩膜板的一侧，将所述平面光光源置于所述掩膜板的另一侧；其中，所述材料距离掩膜板2个泰伯周期以上；开启所述光源，所述光源通过所述掩膜板，在掩膜板的另一侧的空间形成周期性的泰伯像，并且在所述光子晶体材料中形成感光区，使得该感感光区在所述光子晶体材料中由远场向近场推进，完成曝光。采用本发明提出的这种方法可以以较低成本制作二维和三维光子晶体。
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公开(公告)号：CN104134736A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410363985.4
申请日：2014-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种透明电极及其制作方法，在正装LED结构中使用透明的金属网状电极代替传统的退火ITO透明电极层形成欧姆接触。本发明使用自组装方法铺设周期性结构作为掩膜铺设金属电极，通过金属网格的孔洞实现电极的透明功能。并能通过控制金属薄膜孔洞面积占比来控制电极的光透过率。
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公开(公告)号：CN103484831A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310424531.9
申请日：2013-09-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 一种在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：提供含镓氮化物的衬底；步骤2：将所述衬底放进CVD设备反应腔室中，置于加热温场均匀的中心区域；步骤3：向CVD反应腔室中的衬底通入保护性气体；步骤4：对CVD反应腔室进行加热；步骤5：开始加热后，向CVD反应腔室中通入反应气体；步骤6：CVD反应腔室达到生长温度后，通入碳源，进行石墨烯薄膜生长；步骤7：生长完成后，停止通入碳源，停止加热；步骤8：向CVD反应腔室中持续通入保护性气体，待CVD反应腔室的温度降至室温后取出生长后的衬底，完成石墨烯薄膜的生长。本发明制备的石墨烯薄膜可在导电性和透明度之间找到平衡，加强了机械强度。
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公开(公告)号：CN103022299A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210579063.8
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括：在发光二极管外延片上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方式，将周期结构图形掩模转移至发光二极管外延片，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充中间绝缘介质；去除发光二极管外延片上周期结构图形掩模，以及在填充中间填充绝缘介质的发光二极管外延片上制作电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。
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