公开(公告)号：CN108707876A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201711446268.8

申请日：2017-12-27

Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司

Inventor： 周文龙

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C14/06 ,  B23P6/00

CPC classification number: C23C16/4581 ,  B23P6/00 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/18 ,  C23C16/303 ,  C23C16/325

Abstract: 本发明公开了一种石墨盘的修复方法，其特征在于，包括：对石墨盘表面进行第一裂纹检测；当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复。本发明的技术方案对石墨盘的第一裂纹进行检测，并对存在第一裂纹的石墨盘进行修复，保证石墨盘表面的第一裂纹可以被覆盖填充，避免石墨盘因石墨裸露而被侵蚀，减少了碳掺杂对制品品质的影响，提升了半导体材料制造性能，同时可以延长石墨盘使用寿命，并预防因应力累积而造成石墨盘破裂的风险。

公开(公告)号：CN108474114A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680067074.4

申请日：2016-10-06

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司 ,  得克萨斯系统大学评议会

Inventor： 雷新建 ,  金武性 ,  A·马力卡琼南 ,  A·M·丹格菲尔德 ,  L·F·佩纳 ,  Y·J·查巴尔

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553

Abstract: 本文描述了用于形成保形的第4、5、6、13族金属或准金属掺杂的氮化硅膜的方法。在一个方面，提供了形成氮化铝硅膜的方法，其包括以下步骤：在反应器中提供衬底；将至少一种铝前体引入反应器中，所述至少一种铝前体在所述衬底的表面的至少一部分上反应以提供化学吸附层；用吹扫气体吹扫反应器；将有机氨基硅烷前体引入反应器中以在所述衬底的表面的至少一部分上反应以提供化学吸附层；将氮源和惰性气体引入反应器中以与所述化学吸附层的至少一部分反应；和任选地用惰性气体吹扫所述反应器；并且其中重复所述步骤直到获得期望厚度的所述氮化铝膜。

公开(公告)号：CN108461384A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810193893.4

申请日：2014-12-16

Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司

Inventor： 仙田刚士 ,  泉妻宏治

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/02 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明涉及硅晶片。根据本发明，在使氮化物半导体层在硅晶片上外延生长时，抑制晶片破裂或者位错伸展而产生较大弯曲。将端面(5)与第一倾斜面(6)的交点和表面(3)与第一倾斜面(6)的交点之间的沿着表面(3)的方向的第一投影长度设为a1μm，将端面(5)与第二倾斜面(7)的交点和背面(4)与第二倾斜面(7)的交点之间的沿着背面(4)的方向的第二投影长度设为a2μm，将第一倾斜面(6)相对于表面(3)的第一倾斜角设为θ1，将第二倾斜面(7)相对于背面(4)的第二倾斜角设为θ2，将表面(3)与背面(4)的面间隔设为Tμm，并且由各参数值算出由式a1·tanθ1－a2·tanθ2定义的斜面的形状值，并以使该形状值在规定范围内的方式规定斜面的形状。

公开(公告)号：CN108411279A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810294227.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  李云 ,  单斌 ,  曹坤 ,  刘媛媛 ,  杨惠之

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明属于薄膜制备领域，并具体公开了一种高速钢刀具保护涂层的制备方法，包括：对刀具表面进行预处理，将其置于等离子体增强化学气相沉积设备中沉积微米级无机薄膜；将其置于等离子体增强原子层沉积装备中，在适当的温度、压力及合适的等离子体功率条件下，将不同前驱体交替通入，以在刀具表面依次形成饱和吸附完成化学反应；最后对复合涂层进行退火处理。本发明通过等离子原子层沉积形成的纳米尺度的薄膜可有效减少化学气相沉积薄膜表面的缺陷，进而实现对刀具在加工、存储状态下的有效保护。本发明可以实现在低温条件下利用化学气相沉积手段实现刀具表面保护涂层的制备，进而实现对刀具的有效保护。

公开(公告)号：CN104541359B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380025249.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  后藤博一 ,  鹿内洋志 ,  土屋庆太郎 ,  篠宫胜 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III‑V族氮化物半导体的多层膜生长，所述氮化物半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，以比V族元素原料气体的第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比第1载气流量多的第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长的步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。由此，提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其使III‑V族氮化物半导体层的积层结构体以适合各层的V/III比来生长。

公开(公告)号：CN105529248B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201610077452.9

申请日：2011-09-30

Applicant: 同和电子科技有限公司 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 鸟羽隆一 ,  宫下雅仁 ,  八百隆文 ,  藤井克司

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L33/0079 ,  C23C14/165 ,  C23C14/586 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积％的范围。

公开(公告)号：CN105428481B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510921684.3

申请日：2015-12-14

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 林文禹 ,  陈圣昌 ,  钟志白 ,  徐宸科

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02513 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5813 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种氮化物底层结构及其制作方法，采用具有一开放式条状孔洞的溅射式AlN层作为缓冲层，从而在氮化物薄膜生长于该缓冲层之前提供应力释放的路径，可以提升氮化物底层结构的晶格质量并且改善表面裂纹。本发明同时提供了一种采用该氮化物底层结构的发光二极管结构。

公开(公告)号：CN107740182A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201710938189.2

申请日：2017-10-11

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 李文辉 ,  陈蛟 ,  刘鹏 ,  吴洁君 ,  李成明

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C23C16/303 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备，包括设备本体，所述设备本体包括进气法兰和反应腔室，所述进气法兰设置在反应腔室的一端，与反应腔室连接；所述反应腔室的包括腔室外壁，所述腔室外壁上设置有加热系统；所述反应腔室内设置有晶片和金属源放置位，所述金属源放置位设置在所述进气法兰的进气口与晶片之间。本发明的设备在晶片外延的过程中，可有效地减少进气法兰位置副产物的积累，从而提高反应腔室的清洁程度，延长了设备的维护周期，提高了产品的良率和产率。

公开(公告)号：CN103975417B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280054405.2

申请日：2012-11-09

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4482 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403

Abstract: 一种用于半导体晶体材料形成的系统，包括被配置为包含液体金属的第一室以及与第一室流体通联的第二室，第二室具有大于第一储液器室容量的容量。本系统还包括连接至第一室的蒸汽输送导管，此蒸汽输送导管被配置为将气相反应材料输送至第一室以与液体金属反应并形成金属卤化物气相产物。

公开(公告)号：CN107083535A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710247785.6

申请日：2017-04-18

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 秦福文 ,  马春雨 ,  白亦真 ,  王德君 ,  林国强

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  C23C28/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/165 ,  C23C16/26 ,  C23C16/303 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明属于氮化镓基薄膜和器件制造技术领域，提供了石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法。以图形化金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备催化金属层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积方法，依次进行氢等离子体清洗催化金属层、制备石墨烯层、制备AlxGayIn1‑x‑yN缓冲层和制备AlxGayIn1‑x‑yN外延层。可在廉价的非单晶金属衬底上制备出低位错密度、高晶体质量的氮化镓基薄膜。所制备的氮化镓基薄膜可直接作为氮化镓基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。