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公开(公告)号：CN101335308A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041159.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p－i－n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
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公开(公告)号：CN113013285A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110100754.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法。本方法在高平整度透明材料上生长铟柱，剥离后得到试样，试样上同步制备了测量尺标记。两块试样倒焊互连后，利用测量尺标记，对倒焊的对准精度进行测量。然后同设备自带的标准件进行比较，来矫正系统误差，减小了铟柱倒焊时产生的偏移量。由于设备标准件是没用铟柱的，因此，制备铟柱测量尺试样，变得尤为重要，这将是矫正倒焊工艺系统误差的捷径。本方法避免了由于高密度铟柱间距小，互连过程中相邻铟柱的触碰，从而导致像元间短路的问题，有效提高大规模高密度焦平面探测器的连通率和倒焊成品率；本方法不受阵列规模和像元尺寸的限制，可以方便地应用于各种面阵器件。
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公开(公告)号：CN105514156A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610019752.1
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/205 , H01L29/42356 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。
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公开(公告)号：CN103413839A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310325082.2
申请日：2013-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/34 , H01L31/105
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法，所述的双层钝化膜为利用光刻技术保留在器件表面和台面侧面的上、下两层的双层Si3N4薄膜，其制备工艺为：在AlGaN基紫外探测器表面和台面侧面采用感应耦合等离子体化学气相沉积方法沉积双层Si3N4薄膜，首先沉积一层应力与AlGaN层应力相近的下层Si3N4薄膜，然后沉积一层致密的上层Si3N4薄膜，待上述双层膜沉积以后通过光刻和刻蚀工艺保留器件表面和台面侧面的Si3N4双层膜。本发明实现了AlGaN基紫外探测器中钝化膜的低应力、高致密度、耐腐蚀的优势。
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公开(公告)号：CN101527308A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910049111.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101494244A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910046992.0
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n掺杂的GaN层；一p型欧姆接触层，为Mg掺杂的p型GaN。通过Si离子注入工艺制备n+型的沟道，此n+型沟道连通n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层，有源层及p型欧姆接触层；一n型欧姆接触电极，该欧姆接触电极制作在n+沟道上；一p型欧姆接触电极，此电极制作在p型欧姆接触层上，构成背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器。
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公开(公告)号：CN204680670U
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201520371925.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本专利公开了一种集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器。背照式紫外焦平面探测器由以下几个部分组成：紫外光敏元阵列芯片、读出电路、混成互连铟柱、微透镜阵列。微透镜阵列在紫外光敏元阵列芯片的宝石片衬底上采用光刻胶光刻、高温成型、等离子体刻蚀等步骤加工形成。本专利的优点是：集成微透镜阵列之后，紫外光敏元的面积可以大幅度减少，从而使紫外光敏元具有高的零偏压动态电阻R0和小的结电容，从而有利于减小读出电路的噪声以及提高紫外探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN202134542U
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201120142481.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本实用新型公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。
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公开(公告)号：CN205376534U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201620028540.5
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。
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公开(公告)号：CN203456486U
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201320460221.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/0248
Abstract: 本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si3N4钝化膜、上层Si3N4钝化膜，n欧姆接触电极位于n型AlGaN层上，p欧姆接触电极位于p型AlGaN层上。本实用新型的优点在于AlGaN基紫外探测器中钝化膜应力低、致密度高、耐腐蚀。
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