公开(公告)号：CN105514156A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610019752.1

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 薛世伟 ,  王玲 ,  李晓娟 ,  王继强 ,  谢晶 ,  张燕 ,  刘诗嘉 ,  李向阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

公开(公告)号：CN205376534U

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201620028540.5

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 薛世伟 ,  王玲 ,  李晓娟 ,  王继强 ,  谢晶 ,  张燕 ,  刘诗嘉 ,  李向阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。