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公开(公告)号：CN103915433A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410120973.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本发明嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN101335308B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810041159.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p-i-n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
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公开(公告)号：CN100541177C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710170724.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料的透射率在其吸收边附近极为灵敏的特性，通过对其吸收边附近相应波长时透射率的面分布的测试及分析，可以对材料的均匀性做出定量分析和评价。
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公开(公告)号：CN103856730A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020862.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路及其读出方法。紫外焦平面读出电路包括：前端电荷积分模块，用于对紫外探测器的微弱光生电流进行积分，实现电流到电压的转换；像素级模数转换模块，实现在像素内量化模拟电压，并锁存量化结果；行/列选择控制电路实现对焦平面上每一个单元的选择；感应放大器感应像素内量化结果，进行放大并送到输出总线；输出级缓冲器用于增大电路的输出驱动能力，把输出信号依次串行输出。本发明的读出电路，将紫外探测器信号直接转换成数字信号，通过减小模拟信号传输路径来降低噪声对信号的干扰，实现片上模数转换，有效提高了紫外焦平面芯片的信噪比，可以应用于微弱紫外信号的检测与成像。
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公开(公告)号：CN101335308A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041159.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p－i－n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101169370A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710170724.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料的透射率在其吸收边附近极为灵敏的特性，通过对其吸收边附近相应波长时透射率的面分布的测试及分析，可以对材料的均匀性做出定量分析和评价。
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公开(公告)号：CN101976697A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010284488.7
申请日：2010-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一AlGaN吸收层，该吸收层生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，对电极部分进行电隔离；一底电极，该底电极生长在介电绝缘层及其开孔处；一热释电薄膜层，该热释电薄膜层生长在底电极上；一金属上电极，该金属上电极与下电极交叉成十字或丁字形状等，上下电极重合面积位于介电绝缘层开孔处，为热释电薄膜层功能区。本发明的器件结构利用AlGaN薄膜作为紫外吸收层，利用紫外光吸收-热传递-热释电响应的过程避免了高铝组分AlGaN欧姆接触制备的困难，实现了热释电器件的紫外响应，突破了热释电器件响应波段的限制。
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公开(公告)号：CN203883004U
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201420145033.0
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本专利公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本专利嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN203775318U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028329.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开一种基于像素级模数转换的紫外焦平面读出电路。紫外焦平面读出电路包括：前端电荷积分模块，用于对紫外探测器的微弱光生电流进行积分，实现电流到电压的转换；像素级模数转换模块，实现在像素内量化模拟电压，并锁存量化结果；行/列选择控制电路实现对焦平面上每一个单元的选择；感应放大器感应像素内量化结果，进行放大并送到输出总线；输出级缓冲器用于增大电路的输出驱动能力，把输出信号依次串行输出。本专利的读出电路，将紫外探测器信号直接转换成数字信号，通过减小模拟信号传输路径来降低噪声对信号的干扰，实现片上模数转换，有效提高了紫外焦平面芯片的信噪比，可以应用于微弱紫外信号的检测与成像。
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公开(公告)号：CN202975243U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220594944.2
申请日：2012-11-12
Applicant: 宁波工程学院 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/12
Abstract: 本实用新型公开了一种早期高压放电小型环境模拟试验箱，包括金属箱体和金属箱盖，金属箱盖设置在金属箱体上，金属箱体内设置有隔热板，隔热板外表面贴有铝箔层，铝箔层表面涂有黑漆层，金属箱盖的中间设置有电极悬挂通孔，金属箱体的一侧面中间设置有紫外探头安装孔，另一侧面中间设置有紫外成像观察孔，金属箱体内放置有电加热器和超声加湿器，优点是电晕放电过程中的紫外辐射强度和电晕电流不受到大气温度和湿度的影响，为了实现温、湿度的简便控制，方便研究电晕放电特征受温湿度的影响规律。
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