公开(公告)号：CN105514156A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610019752.1

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 薛世伟 ,  王玲 ,  李晓娟 ,  王继强 ,  谢晶 ,  张燕 ,  刘诗嘉 ,  李向阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

公开(公告)号：CN103915433A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410120973.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢晶 ,  袁永刚 ,  李晓娟 ,  王玲 ,  王继强 ,  马丁 ,  刘伯路 ,  李向阳

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本发明嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。

公开(公告)号：CN205376534U

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201620028540.5

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 薛世伟 ,  王玲 ,  李晓娟 ,  王继强 ,  谢晶 ,  张燕 ,  刘诗嘉 ,  李向阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

公开(公告)号：CN203883004U

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201420145033.0

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢晶 ,  袁永刚 ,  李晓娟 ,  王玲 ,  王继强 ,  马丁 ,  刘伯路 ,  李向阳

IPC: H01L27/02

Abstract: 本专利公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本专利嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。