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公开(公告)号：CN101335308B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810041159.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p-i-n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
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公开(公告)号：CN101614834A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055330.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测和识别能力。与不带挡光环的冷光阑相比，此发明能很有效的减少杂散光，让点源透过率PST值有相对几个数量级的衰减，制作易，成本低，能适用于任何冷光阑结构中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541177C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710170724.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料的透射率在其吸收边附近极为灵敏的特性，通过对其吸收边附近相应波长时透射率的面分布的测试及分析，可以对材料的均匀性做出定量分析和评价。
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公开(公告)号：CN101614834B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910055330.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测和识别能力。与不带挡光环的冷光阑相比，此发明能很有效的减少杂散光，让点源透过率PST值有相对几个数量级的衰减，制作易，成本低，能适用于任何冷光阑结构中。
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公开(公告)号：CN101335308A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041159.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p－i－n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
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公开(公告)号：CN101169370A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710170724.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料的透射率在其吸收边附近极为灵敏的特性，通过对其吸收边附近相应波长时透射率的面分布的测试及分析，可以对材料的均匀性做出定量分析和评价。
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公开(公告)号：CN101494244A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910046992.0
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n掺杂的GaN层；一p型欧姆接触层，为Mg掺杂的p型GaN。通过Si离子注入工艺制备n+型的沟道，此n+型沟道连通n型AlxGa1－xN(0＜x≤0.8)层，有源层及p型欧姆接触层；一n型欧姆接触电极，该欧姆接触电极制作在n+沟道上；一p型欧姆接触电极，此电极制作在p型欧姆接触层上，构成背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器。
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