公开(公告)号：CN103915433A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410120973.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢晶 ,  袁永刚 ,  李晓娟 ,  王玲 ,  王继强 ,  马丁 ,  刘伯路 ,  李向阳

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本发明嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。

公开(公告)号：CN118969894A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411016870.8

申请日：2024-07-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王玲 ,  李志锋 ,  李宁 ,  王继强 ,  张燕 ,  李向阳

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G01J4/04 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种具有双光栅结构的量子阱红外偏振探测器及其制备方法，该探测器芯片包括基板，铟柱，带有线光栅结构的量子阱探测器和集成的金属线偏振光栅，量子阱偏振探测器与基板之间通过铟柱互连，这种偏振探测器的特征在于它的像元具有集成的双光栅结构。按照制备顺序，第一层光栅是在GaAs材料上采用刻蚀的方法得到的介质光栅；第二层光栅是在去除GaAs衬底的探测器的光线入射面采用电子束蒸发生长的金属光栅。这种具有集成双光栅的偏振红外探测器的优点是：双层光栅能够实现精确调控量子阱芯片单个像元内部的光场，提高量子阱红外偏振探测的消光比。

公开(公告)号：CN105514156A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610019752.1

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 薛世伟 ,  王玲 ,  李晓娟 ,  王继强 ,  谢晶 ,  张燕 ,  刘诗嘉 ,  李向阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

公开(公告)号：CN205376534U

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201620028540.5

申请日：2016-01-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 薛世伟 ,  王玲 ,  李晓娟 ,  王继强 ,  谢晶 ,  张燕 ,  刘诗嘉 ,  李向阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

公开(公告)号：CN203883004U

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201420145033.0

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢晶 ,  袁永刚 ,  李晓娟 ,  王玲 ,  王继强 ,  马丁 ,  刘伯路 ,  李向阳

IPC: H01L27/02

Abstract: 本专利公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本专利嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。