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公开(公告)号：CN115663102A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210318911.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种高强度芯片键合结构，包括用于连接n层芯片的连接结构，n≥2，所述连接结构由多组金属墙和多个金属电极组成，一组金属墙由对应于n层芯片的n个金属墙键合连接得到，以实现芯片之间的键合连接；不同层的芯片上的电极分别与一个金属电极电性连接，两个金属电极同时与同一组金属墙电性连接，以经由金属墙实现芯片之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，且使用寿命长。
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公开(公告)号：CN118338730A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410275494.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K59/70 , H10K59/35 , H10K59/127 , H10K71/00
Abstract: 本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。
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公开(公告)号：CN119742267A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411766613.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H05K13/02 , H05K13/00
Abstract: 本发明公开了一种仿植物叶片气孔结构的弹性印章及其制备方法与应用，属于转移印刷技术领域。该弹性印章的结构由基板和位于基板上表面的聚合物薄膜层构成，所述聚合物薄膜层带有半球形微空腔的气孔，通过控制气孔内的气压实现器件的转移；所述器件的转移方法为：拾取器件时，将弹性印章贴合到器件表面，对弹性印章气孔内的空气进行加热，使气孔的半球形微空腔内空气排出，气压随之下降并与大气压形成负压，弹性印章/器件界面处于粘附状态，器件被拾取；释放器件时，对弹性印章的气孔内的空气进行加热，使气孔的半球形微空腔内气压增大并大于大气压力形成正压，弹性印章/器件界面处于脱粘状态，器件被释放。
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公开(公告)号：CN117334588A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311329127.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，包括对镀液进行浸润性调配；在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后，进行等离子体表面处理，得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面；将制备的衬底对位贴合，密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液，实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联；有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题，克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉，生产效率较高，安全性较高，可应用于高密度封装器件中。
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公开(公告)号：CN114334640B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117835769A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410050005.9
申请日：2024-01-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K71/13 , H10K50/10 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法。该方法使用喷墨印刷技术在透明衬底上印刷功能层材料以制造电致QLED器件，QLED器件由透明基板/ITO/空穴注入层（Hole injection layer,HIL）/空穴传输层(Hole transport layer，HTL)/量子点（Quantum dots，QDs）/电子传输层（Electron transport layer，ETL）/金属电极组成，各个印刷薄膜直接图案化，其中每种功能层材料墨水均为定制，定制的墨水在特定的衬底上能够实现依次稳定成膜，印刷薄膜厚度均匀，无咖啡环，进而来制造一种全喷墨印刷的电致QLED。本发明方法制备的QLED器件具有工艺简单、生产成本低、器件亮度和外量子效率较高，可用于商业化QLED显示器件制造、Micro‑LED全彩化显示、传感器制造以及医疗生物和防伪技术等领域。
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公开(公告)号：CN114334640A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN118598190A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410657196.5
申请日：2024-05-25
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。
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公开(公告)号：CN117012876A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310896262.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种仿螺腹足肌肉结构粘附的低密度Micro LED自键合结构，该自键合结构包括外部驱动基板，外部驱动基板上设置有若干电极，电极上设置有金属凸点，部分或全部相邻的电极之间设置有空腔，空腔上方设置有纳米团块颗粒。本发明自键合结构的空腔内形成负压，纳米团块颗粒与空腔形成的仿螺腹足肌肉结构导致外部驱动基板与Micro LED芯片阵列之间的摩擦力增大，从而固定Micro LED芯片阵列，避免错位。该自键合结构的仿螺腹足肌肉结构的尺寸、大小等可以根据需要来改变，适应不同的Micro LED自键合。
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公开(公告)号：CN115799243A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211569447.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种高密度Micro‑LED阵列结构及其制备方法，包括驱动基板层，用于连接LED芯片层与驱动基板层的键合层，n层在垂直基板方向上堆叠的LED芯片层，用于连接n层芯片的键合层，n≥2。所述键合层由有机介质，多组金属墙结构和多个金属电极组成。有机介质实现芯片层与驱动基板层、不同芯片层之间的物理键合连接；芯片电极分别与金属电极电性连接，金属电极与金属墙电性连接，金属墙实现芯片之间、芯片与驱动电路之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，芯片制备过程可实现微纳米级高精度对位；金属墙可抑制光串扰，对出射光光形进行整形。
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