公开(公告)号：CN117388958A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311499784.2

申请日：2023-11-10

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 张恺馨 ,  严群 ,  林嘉乐 ,  孙捷 ,  李琦伟 ,  李洋 ,  潘魁 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: G02B1/00 ,  G02B3/02

Abstract: 本发明涉及一种光波段宽带负折射率结构及制备方法，包括基底，2n+1层在垂直基底方向上交替堆叠的金属层和介质层，纳米级厚度的透明介质保护层，贯穿金属层和介质层的孔洞，n≥2。所述孔洞结构均一，呈周期性排布。所述金属层为同一种金属材料；其中至少两层介质的折射率不同，利用不同折射率介质在不同波段的共振响应实现宽带负折射率。该结构制备工艺简单，成本低，可实现宽带光波段的负折射率，可应用于显示器件可见光出射方向的任意调控。

公开(公告)号：CN116960235A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310326456.6

申请日：2023-03-30

Applicant: 闽都创新实验室 ,  福州大学 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 严群 ,  郎太福 ,  林畅 ,  林鑫 ,  卢玉 ,  潘魁 ,  孙捷 ,  黄忠航 ,  杨天溪 ,  张恺馨 ,  郭太良

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。

公开(公告)号：CN113675129B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202110840302.X

申请日：2021-07-24

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 严群 ,  孙捷 ,  潘魁 ,  李晓 ,  林畅 ,  宋继彬 ,  毛作东 ,  张智 ,  牛萌 ,  李敏 ,  张永爱 ,  阮璐

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。

公开(公告)号：CN113675129A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110840302.X

申请日：2021-07-24

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 严群 ,  孙捷 ,  潘魁 ,  李晓 ,  林畅 ,  宋继彬 ,  毛作东 ,  张智 ,  牛萌 ,  李敏 ,  张永爱 ,  阮璐

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。

公开(公告)号：CN118598190A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410657196.5

申请日：2024-05-25

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  邓俐颖 ,  李洋 ,  闫彩红 ,  王星辉 ,  潘魁 ,  张恺馨 ,  林畅 ,  严群 ,  郭太良

IPC: C01G39/02 ,  C30B9/12 ,  C30B29/16 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。