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公开(公告)号：CN119342962A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411368434.7
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。
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公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN118598190A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410657196.5
申请日：2024-05-25
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。
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公开(公告)号：CN117012876A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310896262.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种仿螺腹足肌肉结构粘附的低密度Micro LED自键合结构，该自键合结构包括外部驱动基板，外部驱动基板上设置有若干电极，电极上设置有金属凸点，部分或全部相邻的电极之间设置有空腔，空腔上方设置有纳米团块颗粒。本发明自键合结构的空腔内形成负压，纳米团块颗粒与空腔形成的仿螺腹足肌肉结构导致外部驱动基板与Micro LED芯片阵列之间的摩擦力增大，从而固定Micro LED芯片阵列，避免错位。该自键合结构的仿螺腹足肌肉结构的尺寸、大小等可以根据需要来改变，适应不同的Micro LED自键合。
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公开(公告)号：CN118338730A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410275494.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K59/70 , H10K59/35 , H10K59/127 , H10K71/00
Abstract: 本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344719A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310296474.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种小出光角的Micro‑LED结构。所述Micro‑LED结构，包括Micro‑LED台面、光转向层、光聚集层；Micro‑LED台面结构主要包括N掺杂区、多量子阱层、P掺杂区等；光转向层结构包括：金属反射层、高折射率透明介质层、低折射率透明介质层；光聚集层结构包括：一维光子晶体、二维光子晶体。该结构主要优势在于，可减小Micro‑LED出光角度并增大出光面法向的光强，同时可抑制侧壁出光，使Micro‑LED更好地应用于近眼显示等领域。
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公开(公告)号：CN117388958A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311499784.2
申请日：2023-11-10
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光波段宽带负折射率结构及制备方法，包括基底，2n+1层在垂直基底方向上交替堆叠的金属层和介质层，纳米级厚度的透明介质保护层，贯穿金属层和介质层的孔洞，n≥2。所述孔洞结构均一，呈周期性排布。所述金属层为同一种金属材料；其中至少两层介质的折射率不同，利用不同折射率介质在不同波段的共振响应实现宽带负折射率。该结构制备工艺简单，成本低，可实现宽带光波段的负折射率，可应用于显示器件可见光出射方向的任意调控。
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公开(公告)号：CN117334588A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311329127.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，包括对镀液进行浸润性调配；在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后，进行等离子体表面处理，得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面；将制备的衬底对位贴合，密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液，实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联；有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题，克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉，生产效率较高，安全性较高，可应用于高密度封装器件中。
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公开(公告)号：CN116960235A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310326456.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
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公开(公告)号：CN116247140A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211601499.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的可实现光束准直的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底、Micro‑LED台面以及光学超构表面结构层；所述Micro‑LED台面由金属反射层、p‑掺杂区、多量子阱层及n‑掺杂区组成；所述光学超构表面结构层为n层的纳米结构阵列，其中n≥1；所述Micro‑LED台面产生光源，所述光学超构表面结构层实现任意波长下Micro‑LED出射光的准直；应用本技术方案可实现任意波长下出射光的准直。
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