公开(公告)号：CN114334640B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202111522470.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  杜佳怡 ,  严群 ,  杨天溪 ,  黄忠航 ,  林畅 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。

公开(公告)号：CN114334640A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111522470.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  杜佳怡 ,  严群 ,  杨天溪 ,  黄忠航 ,  林畅 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。