公开(公告)号：CN118598190A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410657196.5

申请日：2024-05-25

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  邓俐颖 ,  李洋 ,  闫彩红 ,  王星辉 ,  潘魁 ,  张恺馨 ,  林畅 ,  严群 ,  郭太良

IPC: C01G39/02 ,  C30B9/12 ,  C30B29/16 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。

公开(公告)号：CN116654915A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310596476.5

申请日：2023-05-25

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 王星辉 ,  谢永辉 ,  林立华 ,  孙捷

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明涉及一种以泡沫铜作催化剂制备垂直石墨烯阵列的方法，包括以下步骤：S1、将衬底放置在泡沫铜表面上，然后将放置有衬底的泡沫铜置于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统的反应腔内；S2、对PECVD系统的反应腔进行抽真空，待真空度达到要求后，向PECVD系统内通入氩气气体，营造惰性气体氛围；S3、以设定的升温速率将反应腔的温度升至600~800℃，然后通入设定量的碳源，并打开等离子体进行辐照，恒温反应1~2小时；S4、恒温反应结束后，关闭碳源和等离子体，冷却，制备得到垂直石墨烯阵列。该方法有利于快速、低温、高效地制备得到高质量的垂直石墨烯阵列。