公开(公告)号：CN118598190A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410657196.5

申请日：2024-05-25

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  邓俐颖 ,  李洋 ,  闫彩红 ,  王星辉 ,  潘魁 ,  张恺馨 ,  林畅 ,  严群 ,  郭太良

IPC: C01G39/02 ,  C30B9/12 ,  C30B29/16 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。