公开(公告)号：CN118315508A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410444230.0

申请日：2024-04-12

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张恺馨 ,  林嘉乐 ,  聂君扬 ,  李洋 ,  兰金华 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  郭太良

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种新型Micro‑LED的侧壁钝化结构及其制备方法。所述结构包括衬底、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层、ITO、侧壁钝化层、金属电极。所述侧壁钝化层由折射率不同的透明介质组成，介质层层数n≥2。内层高折射率介质用于填充干法刻蚀台面造成的缺陷，减少非辐射复合；同时，内层高折射率介质通过光全反射作用，抑制侧壁出光。该侧壁钝化结构制备工艺简单、成本低，可实现钝化、光限制和提高发光效率的作用。

公开(公告)号：CN117388958A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311499784.2

申请日：2023-11-10

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 张恺馨 ,  严群 ,  林嘉乐 ,  孙捷 ,  李琦伟 ,  李洋 ,  潘魁 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: G02B1/00 ,  G02B3/02

Abstract: 本发明涉及一种光波段宽带负折射率结构及制备方法，包括基底，2n+1层在垂直基底方向上交替堆叠的金属层和介质层，纳米级厚度的透明介质保护层，贯穿金属层和介质层的孔洞，n≥2。所述孔洞结构均一，呈周期性排布。所述金属层为同一种金属材料；其中至少两层介质的折射率不同，利用不同折射率介质在不同波段的共振响应实现宽带负折射率。该结构制备工艺简单，成本低，可实现宽带光波段的负折射率，可应用于显示器件可见光出射方向的任意调控。

公开(公告)号：CN118598190A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410657196.5

申请日：2024-05-25

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  邓俐颖 ,  李洋 ,  闫彩红 ,  王星辉 ,  潘魁 ,  张恺馨 ,  林畅 ,  严群 ,  郭太良

IPC: C01G39/02 ,  C30B9/12 ,  C30B29/16 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。