公开(公告)号：CN119923038A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411917399.X

申请日：2024-12-24

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 陈恩果 ,  郑光炯 ,  邓立文 ,  叶芸 ,  徐胜 ,  张永爱 ,  郭太良

IPC: H10H20/814 ,  H10H20/841 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明提供了一种高准直出光的Micro‑LED结构，属于半导体发光器件领域。器件结构从上到下依次为金属反射层、填充层、N型半导体、多量子阱、P型半导体、ITO电极、填充层、金属反射层。此器件结构设计可提高出射光的光强，提高器件出光准直度的同时筛选出光波段，使Micro‑LED出光色纯度更高、半峰宽更窄以及提高出射光束的利用率。利用金属镀膜来形成上下两层共焦谐振腔，提高Micro‑LED的出光性能，本发明进一步拓展了半导体可见光发光器件的应用范围。

公开(公告)号：CN119630180A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411513923.7

申请日：2024-10-29

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张永爱 ,  邹振游 ,  翁书臣 ,  林怡彬 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: H10K50/805 ,  H10K50/16 ,  H10K50/15 ,  H10K50/115 ,  H10K59/12

Abstract: 本发明公开一种双电流栅调控发光器件，涉及光电显示领域，包括：第一面栅极、第一电子传输层、第一面电极层、第二电子传输层、发光复合层、第二空穴传输层、第二面电极层、第一空穴传输层、第二面栅极；第一面栅极、第一面电极层施加第一偏置电源，第二面栅极、第二面电极层施加第二偏置电源；第一面电极层与第二面电极层之间被施加驱动信号用于驱动空穴‑电子在发光复合层复合并发光；第一配置电源、第二配置电源能够调控发光复合层内的电子空穴迁移量。本发明通过在传统发光器件两侧增加电流栅结构，能够有效解决发光复合层内应电子、空穴载流子迁移率的不平衡问题，有效提高电子‑空穴发光复合能效，同时，发光亮度与发光效率能够同效优化。

公开(公告)号：CN119580636A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510032226.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张永爱 ,  翁书臣 ,  邹振游 ,  林怡彬 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/3208

Abstract: 本发明公开了一种基于单向截流电流栅调控发光器件的调控栅流确定方法，包括：在阳极和阴极之间施加第一灰阶值相对应的第一驱动信号，并向单向截流电流栅结构的第一调控电极施加第一栅极调控电流；持续改变第一栅极调控电流，并实时采集各个不同第一栅极调控电流对应的第一发光效率；响应于第一发光效率与标准发光效率相匹配，将对应的第一栅极调控电流确定为第一灰阶值的标准栅极调控电流；获得多个不同灰阶值对应的标准栅极调控电流；根据不同灰阶值及其对应的标准栅极调控电流之间的线性关系，获得第一函数关系；根据第一函数关系，获得发光器件的各个灰阶值对应的标准栅极调控电流。本发明可以快速确定不同灰阶值对应的标准栅极调控信号。

公开(公告)号：CN118382317A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410510141.1

申请日：2024-04-26

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张永爱 ,  邹振游 ,  翁书臣 ,  林怡彬 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: H10K50/30 ,  H10K50/805 ,  H01L33/00 ,  H01L33/36

Abstract: 本发明公开一种栅极调控无注入型发光器件结构，涉及光电显示领域，器件结构包括：无注入型发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；无注入型发光单元依次包括：第一电极、绝缘层、量子点发光层、载流子传输/注入层、第二电极；栅极绝缘层设置于无注入型发光单元与栅极调控电极之间，栅极调控电极位于第一电极或第二电极所在侧；在器件工作时，第一电极与第二电极施加第一交流电源，第一交流电源用于为无注入型发光单元提供电场使其发光，栅极调控电极相对于第一电极或第二电极施加偏置电源，偏置电源用于构建电场调控无注入型发光单元内的载流子的迁移率而调整无注入型发光单元的发光亮度或发光效率。本发明通过栅极调控实现发光效率的提升或发光亮度的提升。

公开(公告)号：CN118382315A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410510128.6

申请日：2024-04-26

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 翁书臣 ,  张永爱 ,  邹振游 ,  林怡彬 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: H10K50/30 ,  H10K50/805

Abstract: 一种栅极调控发光器件结构，涉及光电显示领域，器件结构包括：发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；发光单元依次包括：第一电极、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、第二电极；发光单元与栅极调控电极之间设置有栅极绝缘层，栅极调控电极位于第一电极或第二电极所在侧；在器件工作时，第一电极与第二电极施加第一电源，第一电源用于为发光单元供电发光，栅极调控电极相对于第一电极和/或第二电极施加偏置电源，偏置电源用于构建电场调控发光单元内的载流子的迁移率而调整发光单元的发光亮度或发光效率。本发明通过栅极调控实现发光效率的提升或发光亮度的提升。

公开(公告)号：CN117388958A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311499784.2

申请日：2023-11-10

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 张恺馨 ,  严群 ,  林嘉乐 ,  孙捷 ,  李琦伟 ,  李洋 ,  潘魁 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: G02B1/00 ,  G02B3/02

Abstract: 本发明涉及一种光波段宽带负折射率结构及制备方法，包括基底，2n+1层在垂直基底方向上交替堆叠的金属层和介质层，纳米级厚度的透明介质保护层，贯穿金属层和介质层的孔洞，n≥2。所述孔洞结构均一，呈周期性排布。所述金属层为同一种金属材料；其中至少两层介质的折射率不同，利用不同折射率介质在不同波段的共振响应实现宽带负折射率。该结构制备工艺简单，成本低，可实现宽带光波段的负折射率，可应用于显示器件可见光出射方向的任意调控。

公开(公告)号：CN117334588A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311329127.3

申请日：2023-10-13

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 林畅 ,  卢玉 ,  王帅帅 ,  郎太福 ,  孙捷 ,  黄忠航 ,  杨天溪 ,  张恺馨 ,  严群 ,  张永爱 ,  郭太良

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，包括对镀液进行浸润性调配；在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后，进行等离子体表面处理，得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面；将制备的衬底对位贴合，密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液，实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联；有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题，克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉，生产效率较高，安全性较高，可应用于高密度封装器件中。

公开(公告)号：CN112904621B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202110108677.7

申请日：2021-01-27

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 张永爱 ,  肖智阳 ,  周雄图 ,  郭太良 ,  吴朝兴 ,  林志贤 ,  林坚普

IPC: G02F1/1337

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。

公开(公告)号：CN114203864B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202111216718.0

申请日：2021-10-19

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 周雄图 ,  陈晶晶 ,  郭太良 ,  张永爱 ,  吴朝兴 ,  严群 ,  孙捷

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提出一种多功能发光三极管器件的制备方法，其在发光三极管器件的外延层生长过程中，采用多次外延生长，每次外延时通过制备介质层和湿法腐蚀的方式控制器件结构；其中，制备介质层用于控制下一次外延生长的有效区域；湿法腐蚀则用于去除介质层。工艺包括了半导体光刻、半导体外延、湿法腐蚀，通过光刻制备掩膜层、在掩膜层外区域制备介质层、去除掩膜层等制备半导体层的步骤。与现有技术相比，本发明方案解决了光刻工艺中难以保证的精度问题，减小了器件制备的难度，节约了制作成本，对于提高器件制备效率具有重要意义。

公开(公告)号：CN113675129B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202110840302.X

申请日：2021-07-24

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 严群 ,  孙捷 ,  潘魁 ,  李晓 ,  林畅 ,  宋继彬 ,  毛作东 ,  张智 ,  牛萌 ,  李敏 ,  张永爱 ,  阮璐

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。