公开(公告)号：CN118338730A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410275494.8

申请日：2024-03-12

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张恺馨 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  林嘉乐 ,  黄春雷 ,  杨天溪 ,  林畅 ,  张永爱 ,  郭太良

IPC: H10K59/70 ,  H10K59/35 ,  H10K59/127 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。

公开(公告)号：CN117388958A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311499784.2

申请日：2023-11-10

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 张恺馨 ,  严群 ,  林嘉乐 ,  孙捷 ,  李琦伟 ,  李洋 ,  潘魁 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: G02B1/00 ,  G02B3/02

Abstract: 本发明涉及一种光波段宽带负折射率结构及制备方法，包括基底，2n+1层在垂直基底方向上交替堆叠的金属层和介质层，纳米级厚度的透明介质保护层，贯穿金属层和介质层的孔洞，n≥2。所述孔洞结构均一，呈周期性排布。所述金属层为同一种金属材料；其中至少两层介质的折射率不同，利用不同折射率介质在不同波段的共振响应实现宽带负折射率。该结构制备工艺简单，成本低，可实现宽带光波段的负折射率，可应用于显示器件可见光出射方向的任意调控。

公开(公告)号：CN118315508A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410444230.0

申请日：2024-04-12

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张恺馨 ,  林嘉乐 ,  聂君扬 ,  李洋 ,  兰金华 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  郭太良

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种新型Micro‑LED的侧壁钝化结构及其制备方法。所述结构包括衬底、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层、ITO、侧壁钝化层、金属电极。所述侧壁钝化层由折射率不同的透明介质组成，介质层层数n≥2。内层高折射率介质用于填充干法刻蚀台面造成的缺陷，减少非辐射复合；同时，内层高折射率介质通过光全反射作用，抑制侧壁出光。该侧壁钝化结构制备工艺简单、成本低，可实现钝化、光限制和提高发光效率的作用。