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公开(公告)号：CN119342962A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411368434.7
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。
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公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN116300134A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310057662.1
申请日：2023-01-18
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种基于二元纳米光栅的2D/3D可切换立体显示装置，包括：偏振可控光源、光线准直器、像素阵列光调制器和二元纳米光栅相位调制板；从偏振可控光源中出射的光源经过光线准直器进行准直，从光线准直器中出射的准直光经过像素阵列光调制器，进入二元纳米光栅相位调制板；当TM光开启，TE光关闭时，二元纳米光栅对TM光不产生偏折，像素阵列光调制器提供平面图像，实现2D显示；当TE光开启，TM光关闭时，二元纳米光栅对TE光产生光线偏折，通过二元纳米光栅周期、高度、深宽比调控TE光光线的相位，进而调控光线的偏折角度和汇聚位置，实现3D显示。该器件结构简单，裸眼3D显示视场角宽，亮度大，切换简便快速。
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公开(公告)号：CN111834420B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN115663102A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210318911.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种高强度芯片键合结构，包括用于连接n层芯片的连接结构，n≥2，所述连接结构由多组金属墙和多个金属电极组成，一组金属墙由对应于n层芯片的n个金属墙键合连接得到，以实现芯片之间的键合连接；不同层的芯片上的电极分别与一个金属电极电性连接，两个金属电极同时与同一组金属墙电性连接，以经由金属墙实现芯片之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，且使用寿命长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203864A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111216718.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种新型多功能发光三极管器件的制备方法，其在发光三极管器件的外延层生长过程中，采用多次外延生长，每次外延时通过制备介质层和湿法腐蚀的方式控制器件结构；其中，制备介质层用于控制下一次外延生长的有效区域；湿法腐蚀则用于去除介质层。工艺包括了半导体光刻、半导体外延、湿法腐蚀，通过光刻制备掩膜层、在掩膜层外区域制备介质层、去除掩膜层等制备半导体层的步骤。与现有技术相比，本发明方案解决了光刻工艺中难以保证的精度问题，减小了器件制备的难度，节约了制作成本，对于提高器件制备效率具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113867041A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111158630.8
申请日：2021-09-30
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本发明提出液晶与量子点结合的彩色滤光片显示装置，包括彩色滤光片基板，所述彩色滤光片基板在发光方向上顺序设置有公共电极、下介电层、内置发光面的彩色滤光层、上介电层、高阻抗层、图案化电极；所述发光面包括密集排列的滤光单元；所述滤光单元包括第一色滤光结构、第二色滤光结构；所述第一色滤光结构、第二色滤光结构中均容置有液晶与量子点的混合物；当在图案化电极、公共电极之间施加电压时，滤光结构中的液晶分子形成液晶微透镜阵列；所述液晶微透镜阵列可汇聚滤光单元内量子点被激发时发出的光线；本发明能结合液晶微透镜阵列的优势，实现光效的提升。
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公开(公告)号：CN113299227A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN111840597A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010536398.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种自驱动深紫外杀菌材料的杀菌方法。所述的深紫外杀菌材料是在摩擦发电材料中，均匀掺杂入蓝光电致发光材料和上转换荧光材料，涂覆于应用产品中形成薄膜结构并固化。所述的薄膜在受到外力作用下由于摩擦、拉伸、压缩或者揉搓形变的瞬间，摩擦发电材料摩擦产生电荷，激发蓝光电致发光材料发出蓝光，进而蓝光激发上转换荧光材料产生波长200-290nm具有杀菌效果的深紫外线，在日常太阳光和照明灯光照射下同样具有杀菌效果。本发明杀菌材料制备方法简单，可广泛应用于医疗保健、环境治理和设备自清洁中。
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公开(公告)号：CN119742267A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411766613.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H05K13/02 , H05K13/00
Abstract: 本发明公开了一种仿植物叶片气孔结构的弹性印章及其制备方法与应用，属于转移印刷技术领域。该弹性印章的结构由基板和位于基板上表面的聚合物薄膜层构成，所述聚合物薄膜层带有半球形微空腔的气孔，通过控制气孔内的气压实现器件的转移；所述器件的转移方法为：拾取器件时，将弹性印章贴合到器件表面，对弹性印章气孔内的空气进行加热，使气孔的半球形微空腔内空气排出，气压随之下降并与大气压形成负压，弹性印章/器件界面处于粘附状态，器件被拾取；释放器件时，对弹性印章的气孔内的空气进行加热，使气孔的半球形微空腔内气压增大并大于大气压力形成正压，弹性印章/器件界面处于脱粘状态，器件被释放。
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