公开(公告)号：CN118338730A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410275494.8

申请日：2024-03-12

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张恺馨 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  林嘉乐 ,  黄春雷 ,  杨天溪 ,  林畅 ,  张永爱 ,  郭太良

IPC: H10K59/70 ,  H10K59/35 ,  H10K59/127 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。

公开(公告)号：CN118315508A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410444230.0

申请日：2024-04-12

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张恺馨 ,  林嘉乐 ,  聂君扬 ,  李洋 ,  兰金华 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  郭太良

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种新型Micro‑LED的侧壁钝化结构及其制备方法。所述结构包括衬底、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层、ITO、侧壁钝化层、金属电极。所述侧壁钝化层由折射率不同的透明介质组成，介质层层数n≥2。内层高折射率介质用于填充干法刻蚀台面造成的缺陷，减少非辐射复合；同时，内层高折射率介质通过光全反射作用，抑制侧壁出光。该侧壁钝化结构制备工艺简单、成本低，可实现钝化、光限制和提高发光效率的作用。

公开(公告)号：CN117835769A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410050005.9

申请日：2024-01-12

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 张恺馨 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  黄春雷 ,  林畅 ,  杨天溪 ,  黄忠航 ,  张永爱 ,  郭太良

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/13 ,  H10K50/10 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法。该方法使用喷墨印刷技术在透明衬底上印刷功能层材料以制造电致QLED器件，QLED器件由透明基板/ITO/空穴注入层（Hole injection layer,HIL）/空穴传输层(Hole transport layer，HTL)/量子点（Quantum dots，QDs）/电子传输层（Electron transport layer，ETL）/金属电极组成，各个印刷薄膜直接图案化，其中每种功能层材料墨水均为定制，定制的墨水在特定的衬底上能够实现依次稳定成膜，印刷薄膜厚度均匀，无咖啡环，进而来制造一种全喷墨印刷的电致QLED。本发明方法制备的QLED器件具有工艺简单、生产成本低、器件亮度和外量子效率较高，可用于商业化QLED显示器件制造、Micro‑LED全彩化显示、传感器制造以及医疗生物和防伪技术等领域。