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公开(公告)号：CN114334640B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN118867086A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN118841360A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
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公开(公告)号：CN118315508A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410444230.0
申请日：2024-04-12
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种新型Micro‑LED的侧壁钝化结构及其制备方法。所述结构包括衬底、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层、ITO、侧壁钝化层、金属电极。所述侧壁钝化层由折射率不同的透明介质组成，介质层层数n≥2。内层高折射率介质用于填充干法刻蚀台面造成的缺陷，减少非辐射复合；同时，内层高折射率介质通过光全反射作用，抑制侧壁出光。该侧壁钝化结构制备工艺简单、成本低，可实现钝化、光限制和提高发光效率的作用。
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公开(公告)号：CN117835769A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410050005.9
申请日：2024-01-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K71/13 , H10K50/10 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法。该方法使用喷墨印刷技术在透明衬底上印刷功能层材料以制造电致QLED器件，QLED器件由透明基板/ITO/空穴注入层（Hole injection layer,HIL）/空穴传输层(Hole transport layer，HTL)/量子点（Quantum dots，QDs）/电子传输层（Electron transport layer，ETL）/金属电极组成，各个印刷薄膜直接图案化，其中每种功能层材料墨水均为定制，定制的墨水在特定的衬底上能够实现依次稳定成膜，印刷薄膜厚度均匀，无咖啡环，进而来制造一种全喷墨印刷的电致QLED。本发明方法制备的QLED器件具有工艺简单、生产成本低、器件亮度和外量子效率较高，可用于商业化QLED显示器件制造、Micro‑LED全彩化显示、传感器制造以及医疗生物和防伪技术等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111798764B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010535535.4
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN114464641A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210092018.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列，包括采用多量子阱纳米点阵作为发光层，P接触电极通过图形化覆盖N（N≥1）个多量子阱纳米点阵；还涉及相应的制备方法，包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层；采用选区离子注入法形成多量子阱点阵；继续生长P‑GaN层；使用另一种离子提高隔离区域P型GaN的电阻率，沉积导热层阵列；接着制作P接触电极阵列、N接触电极形成最后的超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列。本发明简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
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公开(公告)号：CN114334640A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN114203867A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111217006.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种电场调控型发光三极管器件及其制备方法，其P型氮化镓层和三层N型氮化镓层、量子阱层、沟道层构成的功能层除位于最下层的第三N型氮化镓层外的部分，生长在第三N型氮化镓层上的部分区域，构成中心功能层；漏极金属接触层设置在所述中心功能层的顶部，源极金属接触层直接设置在所述第三N型氮化镓层上，栅极金属层通过介质层环绕设置于所述中心功能层的周部。实现了氮化镓基蓝光LED和氮化镓基垂直型MOSFET的单片集成，能够通过调控栅极电压和漏极电压对LED发光进行调控，将电流调控的LED转为更便于调控的电压。同时，对制备工艺进行改进，避免刻蚀工艺对器件表面造成的损伤。
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公开(公告)号：CN111769054A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010535346.7
申请日：2020-06-12
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L27/15
Abstract: 本发明涉及一种彩色μLED巨量转移方法。在不同发光颜色μLED芯片上表面修饰不同的抗体分子，在转移过渡基板或驱动背板修饰相应抗原分子，利用抗原抗体反应的特异性，将不同颜色μLED芯片同时批量转移到转移过渡基板或驱动背板，最后，将装载板上的彩色μLED芯片阵列批量转移至对应驱动背板进行焊接和封装。本发明方法可以精准实现不同发光颜色的μLED芯片的同时巨量转移，简化转移工艺，提高转移效率，同时降低μLED显示屏的生产成本。
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