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公开(公告)号：CN119342962A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411368434.7
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。
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公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN115663102A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210318911.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种高强度芯片键合结构，包括用于连接n层芯片的连接结构，n≥2，所述连接结构由多组金属墙和多个金属电极组成，一组金属墙由对应于n层芯片的n个金属墙键合连接得到，以实现芯片之间的键合连接；不同层的芯片上的电极分别与一个金属电极电性连接，两个金属电极同时与同一组金属墙电性连接，以经由金属墙实现芯片之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，且使用寿命长。
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公开(公告)号：CN118841360B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种具备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
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公开(公告)号：CN118338730A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410275494.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K59/70 , H10K59/35 , H10K59/127 , H10K71/00
Abstract: 本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119742267A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411766613.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H05K13/02 , H05K13/00
Abstract: 本发明公开了一种仿植物叶片气孔结构的弹性印章及其制备方法与应用，属于转移印刷技术领域。该弹性印章的结构由基板和位于基板上表面的聚合物薄膜层构成，所述聚合物薄膜层带有半球形微空腔的气孔，通过控制气孔内的气压实现器件的转移；所述器件的转移方法为：拾取器件时，将弹性印章贴合到器件表面，对弹性印章气孔内的空气进行加热，使气孔的半球形微空腔内空气排出，气压随之下降并与大气压形成负压，弹性印章/器件界面处于粘附状态，器件被拾取；释放器件时，对弹性印章的气孔内的空气进行加热，使气孔的半球形微空腔内气压增大并大于大气压力形成正压，弹性印章/器件界面处于脱粘状态，器件被释放。
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公开(公告)号：CN117334588A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311329127.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，包括对镀液进行浸润性调配；在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后，进行等离子体表面处理，得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面；将制备的衬底对位贴合，密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液，实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联；有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题，克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉，生产效率较高，安全性较高，可应用于高密度封装器件中。
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公开(公告)号：CN116960235A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310326456.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
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公开(公告)号：CN113675129B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号：CN116247140A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211601499.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的可实现光束准直的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底、Micro‑LED台面以及光学超构表面结构层；所述Micro‑LED台面由金属反射层、p‑掺杂区、多量子阱层及n‑掺杂区组成；所述光学超构表面结构层为n层的纳米结构阵列，其中n≥1；所述Micro‑LED台面产生光源，所述光学超构表面结构层实现任意波长下Micro‑LED出射光的准直；应用本技术方案可实现任意波长下出射光的准直。
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