公开(公告)号：CN115799243A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211569447.1

申请日：2022-12-08

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 严群 ,  孙捷 ,  张凯馨 ,  林畅 ,  杨天溪 ,  黄忠航 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: H01L25/16 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明涉及一种高密度Micro‑LED阵列结构及其制备方法，包括驱动基板层，用于连接LED芯片层与驱动基板层的键合层，n层在垂直基板方向上堆叠的LED芯片层，用于连接n层芯片的键合层，n≥2。所述键合层由有机介质，多组金属墙结构和多个金属电极组成。有机介质实现芯片层与驱动基板层、不同芯片层之间的物理键合连接；芯片电极分别与金属电极电性连接，金属电极与金属墙电性连接，金属墙实现芯片之间、芯片与驱动电路之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，芯片制备过程可实现微纳米级高精度对位；金属墙可抑制光串扰，对出射光光形进行整形。