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公开(公告)号：CN114793093B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210456811.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种具有抗干扰功能的超宽带协议低噪声放大器，包括匹配电路、LNA主电路、第一级陷波滤波器以及第二陷滤波电路，其中：匹配电路包括电容Cpad1和Cs以及电感Lp和Ls；LNA主电路包括N型MOS管M1、M2和M3，可变并联反馈电阻R1和隔直电容C2、C3，负载电感L2、L3以及负载电阻R2；第一级陷波滤波器包括电感L1、电容C1和可调电容Cp1；第二级陷波滤波器包括电感L4和可调电容C4以及电容Cpad2和其对应的补偿电感Lout。本发明实现了低噪声并且强化了滤波性能；有效减少了LC并联谐振电路的噪声贡献；在保证滤波深度的同时补偿了滤波器对低噪声放大器通带的增益抑制。
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公开(公告)号：CN115470747B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202211200737.9
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安工程大学
IPC: G06F30/396 , G06F111/04 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种实现时序快速收敛的时钟树综合方法，该方法对寄存器传输级代码采用DCG模式进行逻辑综合，采用门控时钟插入技术来降低功耗；布局前，根据芯片布图的位置，选择合适的位置人工插入FCHT时钟结构的主干和分支，在时钟树综合阶段基于FCHT时钟结构，采用CCOPT技术进行时钟树综合，同时应用有效偏差更加准确的评估时钟偏差的影响，最终通过静态时序分析检查时序，确保达到签核的标准；本发明方法解决了传统时钟树综合方案时序收敛困难，设计时间长的问题，有利于得到一种高质量、时钟偏差小、时序符合要求的时钟树设计。
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公开(公告)号：CN115470747A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211200737.9
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安工程大学
IPC: G06F30/396 , G06F111/04 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种实现时序快速收敛的时钟树综合方法，该方法对寄存器传输级代码采用DCG模式进行逻辑综合，采用门控时钟插入技术来降低功耗；布局前，根据芯片布图的位置，选择合适的位置人工插入FCHT时钟结构的主干和分支，在时钟树综合阶段基于FCHT时钟结构，采用CCOPT技术进行时钟树综合，同时应用有效偏差更加准确的评估时钟偏差的影响，最终通过静态时序分析检查时序，确保达到签核的标准；本发明方法解决了传统时钟树综合方案时序收敛困难，设计时间长的问题，有利于得到一种高质量、时钟偏差小、时序符合要求的时钟树设计。
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公开(公告)号：CN112099137A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011059619.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明的目的是提供一种条形中红外波导结构，包括Si衬底层，Si衬底层的顶部设置有相互间隔的条形SiO2埋氧层，条形SiO2埋氧层顶部中间位置处设置有条形Si波导层，条形Si波导层与条形SiO2埋氧层均垂直设置。本发明结构通过刻蚀部分埋氧层，从而形成以空气为部分下包层的中红外低损耗悬浮条形波导结构，有效减小了其SiO2埋氧层与条形Si波导层的接触面积，可以有效减小SiO2埋氧层的吸收损耗，从而降低波导的整体传输损耗，而且通过调节Si波导下方的条形SiO2埋氧层间距，可以对条形Si波导进行良好的支撑，防止波导塌陷。
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公开(公告)号：CN105137620A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510603240.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2001/0151
Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118198157A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410333960.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构及其制作方法，包括设置于硅光电倍增管非光敏区表面的金属膜，金属膜和硅光电倍增管的光敏区上方共同设置有透明绝缘封装介质。本发明通过在硅光电倍增管的非光敏区表面即“死区”覆设一层高反射率的金属膜，从而利用高反射金属膜与透明封装层上表面之间光子的多次反射，使得更多的光子落在硅光电倍增管的光敏区上，能够增加硅光电倍增管的光子探测效率，还具有工艺简单、实用性强的优点。
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公开(公告)号：CN118151269A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311550845.3
申请日：2023-11-20
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02B3/00 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，包括：在硅光电倍增管本体表面沉积金属薄膜层；通过光刻对准工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，窗口与硅光电倍增管本体的G‑APD单元光敏区一一对应且中心对齐；通过刻蚀工艺对金属薄膜层刻蚀形成网孔结构；在网孔结构上涂抹一层对透明绝缘封装介质不浸润的涂层；向网孔结构上表面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结构内液态透明绝缘封装介质的下表面向下形成凸面；固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜阵列。本发明解决了现有的将光子汇聚到SiPM芯片内G‑APD单元光敏区的方法成本高、耦合对准步骤繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN115752218A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211463364.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01B7/16 , C01B32/184 , A61B5/0205
Abstract: 本发明公开了三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法，通过填充法制备多孔结构的柔性材料聚二甲基硅氧烷，然后将氧化石墨烯溶液装载到多孔聚二甲基硅氧烷上，干燥后将氧化石墨烯还原，最后使用导电银浆在三维石墨烯上印刷图形化电极，即得三维石墨烯柔性应变传感器。本发明提供的三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法能制备出制备成本低廉、高灵敏度的可穿戴柔性石墨烯应变传感器，结合石墨烯的高柔韧性、载流子迁移率高、超宽的光谱响应以及其对微小应变的高敏感性实现对人体的生命特征的实时监测例如心跳、脉搏、呼吸等，本发明制备方法简便，成本低廉，可以大面积制备，更加适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN112099138A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011059671.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明的公开了一种脊型中红外波导结构，包括Si衬底层，Si衬底层顶部间隔设置有条形SiO2埋氧层，条形SiO2埋氧层中间位置的顶部设置有条形Si波导层，条形Si波导层与间隔设置的条形SiO2埋氧层均垂直，条形SiO2埋氧层剩余顶部位置上还设置有平板Si波导层，位于整块条形SiO2埋氧层的两端的两块平板Si波导层与条形Si波导层形成夹持关系，条形Si波导层与平板Si波导层共同构成脊型Si波导结构。该结构通过刻蚀部分埋氧层，从而形成以空气为部分下包层的中红外低损耗悬浮脊型波导结构。
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公开(公告)号：CN109116589A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811185140.5
申请日：2018-10-11
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种新型PIN电光调制器结构，包括N-Sub层，N-Sub层的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，本征N型锗硅调制区与P+阱区、N+阱区接触位置处呈锯齿状配合接触形成横向双异质结，本征N型锗硅调制区呈脊型凸起状，P+阱区的顶部设置有第一电极，N+阱区的顶部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部均覆盖有SiO2覆盖层，本发明不仅能提高载流子浓度，增强等离子色散效应，而且可以抑制温升，削弱热光效应，提高调制效率。
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