公开(公告)号：CN103681691A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310400070.1

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件（部件）。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN102800707A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210166810.5

申请日：2012-05-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上尚也 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明使得能够降低半导体元件的导通电阻而不会妨碍半导体器件中的防扩散膜的功能，该半导体器件具有使用布线层中的布线作为栅电极并且具有与防扩散膜在同一层中的栅极绝缘膜的半导体元件。第一布线和栅电极嵌入在包括第一布线层的绝缘层的表面层中。防扩散膜形成在第一布线层和第二布线层之间。通过在防扩散膜的上面上与栅电极重叠的区域中以及该区域周围形成凹陷；并且减薄该部分来形成栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN107256846A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710243114.2

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件(部件)。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN103632921B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310379457.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  斋藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8254 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种包括在相同布线层中共存的N型半导体层和P型半导体层而对半导体层的性质无影响的半导体器件。该半导体器件包括具有第一布线的第一布线层、具有第二布线的第二布线层以及在第一布线层和第二布线层中提供的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极电极、第一栅极绝缘膜、第一氧化物半导体层、第一硬掩模层和覆盖第一氧化物半导体层的侧部的第一绝缘侧壁。第二晶体管包括第二栅极电极、第二栅极绝缘膜、第二氧化物半导体层和第二硬掩模层。

公开(公告)号：CN103681691B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310400070.1

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件（部件）。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN103904109A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310741171.5

申请日：2013-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金子贵昭 ,  砂村润 ,  林喜宏

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明可以增加在布线层中形成的有源元件中的栅极绝缘膜的选择性。根据本发明的半导体器件具有使用形成于布线层中的Al布线之上的抗反射膜作为栅极布线的底栅型晶体管。

公开(公告)号：CN101495674B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200780027766.7

申请日：2007-07-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本博规 ,  伊藤文则 ,  多田宗弘 ,  林喜宏

IPC: C23C16/42 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有3元SiO环状结构以及4元SiO环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有3元SiO环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101217136B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810001917.8

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN107256846B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201710243114.2

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件(部件)。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN103681673B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201310425396.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。