公开(公告)号：CN103681673A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310425396.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。

公开(公告)号：CN103247620A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310040124.8

申请日：2013-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  井上尚也 ,  金子贵昭

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L23/53228 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1082 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供一种容易地可制造的半导体器件，其包括具有彼此不同的特性的两个晶体管。该半导体器件包括：衬底；多层布线层，该多层布线层被设置在衬底上；第一晶体管，该第一晶体管被设置在多层布线层中；以及第二晶体管，该第二晶体管被设置在多层布线层的与包括被设置在其中的第一晶体管的层不同的层中，并且具有与第一晶体管的特性不同的特性。这能够提供容易制造的半导体器件，其包括具有彼此不同特性的两个晶体管。

公开(公告)号：CN103681691A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310400070.1

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件（部件）。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN103904109B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201310741171.5

申请日：2013-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金子贵昭 ,  砂村润 ,  林喜宏

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明可以增加在布线层中形成的有源元件中的栅极绝缘膜的选择性。根据本发明的半导体器件具有使用形成于布线层中的Al布线之上的抗反射膜作为栅极布线的底栅型晶体管。

公开(公告)号：CN103247683B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201310041425.2

申请日：2013-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  井上尚也 ,  金子贵昭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/823885 ,  H01L23/49822 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10858 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提高被设置在多层布线层中的半导体元件的性能。半导体器件包括：第一布线，该第一布线被设置在第一布线层中；第二布线，该第二布线被设置在被堆叠在第一布线层上的第二布线层中；栅电极，该栅电极在第一布线层和第二布线层的堆叠方向中被布置在第一布线和第二布线之间，并且没有与第一布线和第二布线耦合；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上；以及半导体层，该半导体层经由栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上，并且与第一布线和第二布线耦合。

公开(公告)号：CN103247683A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310041425.2

申请日：2013-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  井上尚也 ,  金子贵昭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/823885 ,  H01L23/49822 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10858 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提高被设置在多层布线层中的半导体元件的性能。半导体器件包括：第一布线，该第一布线被设置在第一布线层中；第二布线，该第二布线被设置在被堆叠在第一布线层上的第二布线层中；栅电极，该栅电极在第一布线层和第二布线层的堆叠方向中被布置在第一布线和第二布线之间，并且没有与第一布线和第二布线耦合；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上；以及半导体层，该半导体层经由栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上，并且与第一布线和第二布线耦合。

公开(公告)号：CN107256846A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710243114.2

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件(部件)。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN103632921B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310379457.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  斋藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8254 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种包括在相同布线层中共存的N型半导体层和P型半导体层而对半导体层的性质无影响的半导体器件。该半导体器件包括具有第一布线的第一布线层、具有第二布线的第二布线层以及在第一布线层和第二布线层中提供的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极电极、第一栅极绝缘膜、第一氧化物半导体层、第一硬掩模层和覆盖第一氧化物半导体层的侧部的第一绝缘侧壁。第二晶体管包括第二栅极电极、第二栅极绝缘膜、第二氧化物半导体层和第二硬掩模层。

公开(公告)号：CN103681691B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310400070.1

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件（部件）。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN103904109A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310741171.5

申请日：2013-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金子贵昭 ,  砂村润 ,  林喜宏

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明可以增加在布线层中形成的有源元件中的栅极绝缘膜的选择性。根据本发明的半导体器件具有使用形成于布线层中的Al布线之上的抗反射膜作为栅极布线的底栅型晶体管。