公开(公告)号：CN103681673A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310425396.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。

公开(公告)号：CN102237272B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110120262.8

申请日：2011-05-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  川原润 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置制造方法包括：在衬底上形成包含Si和C的帽绝缘膜；在所述帽绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述帽绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。

公开(公告)号：CN102237272A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120262.8

申请日：2011-05-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  川原润 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置制造方法包括：在衬底上形成包含Si和C的帽绝缘膜；在所述帽绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述帽绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。

公开(公告)号：CN103632921B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310379457.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  斋藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8254 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种包括在相同布线层中共存的N型半导体层和P型半导体层而对半导体层的性质无影响的半导体器件。该半导体器件包括具有第一布线的第一布线层、具有第二布线的第二布线层以及在第一布线层和第二布线层中提供的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极电极、第一栅极绝缘膜、第一氧化物半导体层、第一硬掩模层和覆盖第一氧化物半导体层的侧部的第一绝缘侧壁。第二晶体管包括第二栅极电极、第二栅极绝缘膜、第二氧化物半导体层和第二硬掩模层。

公开(公告)号：CN103681673B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201310425396.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。

公开(公告)号：CN103632921A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310379457.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  斋藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8254 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种包括在相同布线层中共存的N型半导体层和P型半导体层而对半导体层的性质无影响的半导体器件。该半导体器件包括具有第一布线的第一布线层、具有第二布线的第二布线层以及在第一布线层和第二布线层中提供的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极电极、第一栅极绝缘膜、第一氧化物半导体层、第一硬掩模层和覆盖第一氧化物半导体层的侧部的第一绝缘侧壁。第二晶体管包括第二栅极电极、第二栅极绝缘膜、第二氧化物半导体层和第二硬掩模层。