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公开(公告)号：CN101495674B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200780027766.7
申请日：2007-07-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有3元SiO环状结构以及4元SiO环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有3元SiO环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。
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