公开(公告)号：CN101495674B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200780027766.7

申请日：2007-07-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本博规 ,  伊藤文则 ,  多田宗弘 ,  林喜宏

IPC: C23C16/42 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有3元SiO环状结构以及4元SiO环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有3元SiO环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101217136B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810001917.8

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。