公开(公告)号：CN106298794B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610883736.7

申请日：2011-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润

IPC: H01L27/1156 ,  H01L27/12 ,  G11C11/403 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C14/0018 ,  G11C8/08 ,  G11C11/401 ,  G11C11/403 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/34 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225

Abstract: 存储器件及半导体器件。提供一种能够长时间保持数据的存储器件。存储器件包括存储元件及晶体管，晶体管用作为开关元件，用以控制存储元件中的电荷的供应、存储及释出。晶体管包括用以控制阈值电压的第二栅电极以及普通栅电极。此外，由于晶体管的活性层包含氧化物半导体，因此晶体管的截止状态电流极低。在存储器件中，不通过在高电压下将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动栅极，而是通过经由截止状态电流极低的晶体管来控制存储元件的电荷量，来存储数据。

公开(公告)号：CN105390502B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201510536285.5

申请日：2015-08-27

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 吴世伦摅 ,  白正善 ,  李胜敏 ,  白朱爀 ,  申铉秀 ,  全济勇 ,  李道炯

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  G09G3/3208 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2330/021 ,  G09G2340/0435 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明涉及一种显示装置，包括：布置在基板的第一区域上的第一半导体层，所述第一半导体层具有多晶半导体材料，且具有第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；布置在该基板的第二区域上的第二半导体层，所述第二半导体层具有氧化物半导体材料，且具有第二沟道区域、第二源极区域和第二漏极区域；与该第一沟道区域重叠的第一栅极，且在该第一沟道区域和该第一栅极之间具有第一栅极绝缘层；与该第二沟道区域重叠的第二栅极，且在该第二沟道区域和该第二栅极之间具有该第一栅极绝缘层；覆盖该第一半导体层、该第二半导体层、该第一栅极和该第二栅极的中间绝缘层；以及布置在中间绝缘层上的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极。

公开(公告)号：CN105870057B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610278667.7

申请日：2016-04-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 宁策 ,  杨维

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明实施例公开了一种阵列基板、其制作方法和显示装置。该方法包括：在基板的栅极驱动电路集成在阵列基板GOA区形成第一薄膜晶体管的第一氧化物半导体有源层；采用第一温度对所述第一氧化物半导体有源层进行第一时长的退火；形成覆盖所述第一氧化物半导体有源层的第一绝缘层；采用第二温度对所述第一氧化物半导体有源层进行第二时长的退火；其中，所述第二温度低于所述第一温度。该方案提高了该第一薄膜晶体管的正向偏压稳定性，延长了器件寿命。

公开(公告)号：CN109346526A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811222657.7

申请日：2018-10-19

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

Inventor： 田茂坤 ,  王骏 ,  黄中浩 ,  董晓楠

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。本发明的氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上依次沉积氧化物半导体材料层和刻蚀阻挡层，并通过一次构图工艺形成包括有源层，以及图案化的刻蚀阻挡层的步骤；其中，所述图案化的刻蚀阻挡层包括与所述有源层的源极接触区对应的源极接触过孔，以及与所述有源层的漏极接触区对应的漏极接触过孔。

公开(公告)号：CN109148484A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810995201.8

申请日：2018-08-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  福州京东方光电科技有限公司

Inventor： 王洋 ,  李梁梁 ,  尹明格 ,  张亮

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底上形成至少一层防反光层；其中，形成每层所述防反光层的步骤均包括：形成透光金属层；对所述透光金属层进行氧化，以使所述透光金属层沿其厚度方向的至少一部分形成为吸光的金属氧化物层。相应地，本发明还提供一种阵列基板和显示装置。本发明可以降低工艺成本并提高成膜效率。

公开(公告)号：CN108987438A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810569163.X

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金智善 ,  姜章美 ,  李仙花 ,  田武泾

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3272 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3258 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2330/021 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括基底、位于基底上的第一晶体管和第二晶体管、连接到第一晶体管和第二晶体管中的一者的第一电极、面对第一电极的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光构件，其中，第一晶体管包括：第一沟道，包括位于基底上的多晶半导体构件；第一源电极和第一漏电极，位于第一沟道的相应的相对侧；第一栅电极，与第一沟道叠置；以及第一绝缘层，覆盖第一栅电极，第二晶体管包括：第二栅电极，位于第一绝缘栅上；第二沟道，包括位于第二栅电极上的氧化物半导体构件；第二源电极和第二漏电极，位于第二沟道上；以及外部光阻挡构件，位于第二源电极和第二漏电极上并与第二沟道叠置。

公开(公告)号：CN106129122B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201610798600.6

申请日：2016-08-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘威 ,  方金钢

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78618 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/34 ,  H01L21/383 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。该氧化物薄膜晶体管包括：衬底基板；依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极金属层、绝缘层和源漏电极层，其中，所述绝缘层在第一温度下沉积得到以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分被导体化，所述有源层的被导体化的部分与所述源漏电极层电连接。在第一温度下沉积绝缘层薄膜的过程可使有源层进一步失氧，从而使其导电性能增强，进而可提高薄膜晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN104867933B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201510087377.X

申请日：2015-02-25

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 李瑛长 ,  孙庚模 ,  李昭珩 ,  朴文镐 ,  李成秦

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  H01L29/04 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在所述第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。

公开(公告)号：CN108922894A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810797335.9

申请日：2013-09-11

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金钟允 ,  安泰琼 ,  金永大

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  C22C27/04

CPC classification number: H01L29/78618 ,  C22C27/04 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种显示基板。该显示基板包括：基底基板；半导体有源层，布置在所述基底基板上；第一导电图案组，与所述半导体有源层绝缘，并至少包括栅电极；第二导电图案组，与所述第一导电图案组绝缘，并至少包括源电极、漏电极和数据焊盘；以及有机发光装置，布置在所述第二导电图案组上，所述第二导电图案组包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层布置在所述第一导电层上，以防止所述第一导电层被腐蚀和氧化。

公开(公告)号：CN108806632A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810745539.8

申请日：2013-09-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 梅崎敦司

IPC: G09G3/36 ,  G11C19/28 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L25/00 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置能够抑制晶体管的特性变化并能够急剧改变输出信号，而不增加晶体管的W/L。在被供应低电位的布线与输出端子之间设置并联连接的两个晶体管。在从输出端子输出低电位的情况下，先使两个晶体管都处于导通状态，然后使其中一个晶体管处于截止状态。由此，够抑制晶体管的特性变化，并能够急剧改变输出信号，而不增加晶体管的W/L。