公开(公告)号：CN114220852B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202111536522.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  梁利晓 ,  刘葳 ,  管佳宁 ,  覃荣震 ,  何逸涛

IPC: H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60

Abstract: 本发明提供的栅极总线结构及沟槽栅芯片，所述栅极总线结构包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且阱区内形成有多条与元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。通过在阱区内引入了与元胞区沟槽成一定角度的多条栅极总线沟槽，可以有效缓解沟槽栅芯片在加工过程中带来的翘曲，且制备流程与原流程完全兼容，对原有工艺无影响，容易实现。

公开(公告)号：CN112992666B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201911296255.6

申请日：2019-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾琪 ,  罗海辉 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  何逸涛 ,  文高

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法，包括如下步骤：S10：在硅衬底上生成终端区氧化层。S20：去除有源区的介质层，保留终端区氧化层，露出硅衬底。S30：在有源区进行沟槽光刻并刻蚀，形成沟槽。S40：在有源区生成氧化层，形成栅氧。S50：在器件表面淀积多晶硅并且将所有沟槽填充满。S60：采用CMP对器件表面的多晶硅和终端区氧化层进行研磨直至表面平坦。本发明提供的用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法，采用一道CMP工艺即可实现多晶硅和氧化层的研磨，工艺流程更为紧凑，同时也实现了晶圆表面良好的平坦化。

公开(公告)号：CN112750695B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202011450568.5

申请日：2020-12-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗海辉 ,  何逸涛 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上表面形成阻挡层；通过图形化阻挡层显露部分衬底的上表面，在显露的部分衬底的上表面刻蚀形成沟槽；形成第一栅氧层；填充第一掺杂的第一多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第一多晶硅层直至保留所述沟槽底部的第一多晶硅层，第一多晶硅层形成第一栅极；移除阻挡层；形成预设第一厚度的氧化层；磨去部分氧化层直至保留预设第二厚度的氧化层，再刻蚀预设第二厚度的氧化层直至保留预设第三厚度的氧化层；形成第二栅氧层；填充第二掺杂的第二多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第二多晶硅层形成第二栅极。所述方法克服了IGBT器件中沟槽的氧化层下凹的缺陷，提高了IGBT器件的可靠性。

公开(公告)号：CN116130512A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211679354.4

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王辉 ,  朱利恒 ,  余开庆 ,  蔡海 ,  丁杰 ,  何逸涛 ,  覃荣震 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/16 ,  H02M1/00

Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制备方法、电力变换装置。该半导体器件，包括：半导体层，具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面面，半导体层被划分出用于构造晶体管的晶体管区和用于构造二极管的二极管区，半导体层包括位于其第一侧表面中晶体管区所处区域内侧的多个源区；多个第一沟槽，设置在半导体层的第一侧表面中晶体管区所处区域上，多个第一沟槽内部分别设置栅极结构，栅极结构与源区相连；多个第二沟槽，设置在半导体层的第一侧表面中二极管区所处区域上，多个第二沟槽内部分别设置虚设栅极结构；第一电极，设置在半导体层的第一侧表面上，与多个源区导电接触，与栅极结构之间由层间介质层隔开，且与虚设栅极结构导电接触。

公开(公告)号：CN116053134A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211651576.5

申请日：2022-12-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 何逸涛 ,  蔡海 ,  朱利恒 ,  王辉 ,  余开庆 ,  丁杰 ,  覃荣震 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开提供一种半导体器件的制备方法和半导体器件。半导体器件的制备方法包括：第一部分处理过程，包括全部工艺温度大于或等于900℃的处理步骤，以在半导体层的第一面上形成沟槽，在所述沟槽中形成栅极结构，在所述半导体层的所述第一面上形成第二导电类型的阱区，在所述阱区的表面内形成第一导电类型的源区，所述沟槽的深度大于所述阱区的深度；阈值电压调节过程，包括通过离子注入工艺至少调整所述阱区中用于形成反型层的区段中的部分区段的掺杂浓度；第二部分处理过程，全部工艺温度均小于或等于600℃。该制备方法可实现对阈值电压的精细调控，且对器件其他参数影响轻微。

公开(公告)号：CN112992666A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911296255.6

申请日：2019-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾琪 ,  罗海辉 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  何逸涛 ,  文高

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法，包括如下步骤：S10：在硅衬底上生成终端区氧化层。S20：去除有源区的介质层，保留终端区氧化层，露出硅衬底。S30：在有源区进行沟槽光刻并刻蚀，形成沟槽。S40：在有源区生成氧化层，形成栅氧。S50：在器件表面淀积多晶硅并且将所有沟槽填充满。S60：采用CMP对器件表面的多晶硅和终端区氧化层进行研磨直至表面平坦。本发明提供的用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法，采用一道CMP工艺即可实现多晶硅和氧化层的研磨，工艺流程更为紧凑，同时也实现了晶圆表面良好的平坦化。

公开(公告)号：CN112750695A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011450568.5

申请日：2020-12-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗海辉 ,  何逸涛 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上表面形成阻挡层；通过图形化阻挡层显露部分衬底的上表面，在显露的部分衬底的上表面刻蚀形成沟槽；形成第一栅氧层；填充第一掺杂的第一多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第一多晶硅层直至保留所述沟槽底部的第一多晶硅层，第一多晶硅层形成第一栅极；移除阻挡层；形成预设第一厚度的氧化层；磨去部分氧化层直至保留预设第二厚度的氧化层，再刻蚀预设第二厚度的氧化层直至保留预设第三厚度的氧化层；形成第二栅氧层；填充第二掺杂的第二多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第二多晶硅层形成第二栅极。所述方法克服了IGBT器件中沟槽的氧化层下凹的缺陷，提高了IGBT器件的可靠性。