公开(公告)号：CN112750695B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202011450568.5

申请日：2020-12-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗海辉 ,  何逸涛 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上表面形成阻挡层；通过图形化阻挡层显露部分衬底的上表面，在显露的部分衬底的上表面刻蚀形成沟槽；形成第一栅氧层；填充第一掺杂的第一多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第一多晶硅层直至保留所述沟槽底部的第一多晶硅层，第一多晶硅层形成第一栅极；移除阻挡层；形成预设第一厚度的氧化层；磨去部分氧化层直至保留预设第二厚度的氧化层，再刻蚀预设第二厚度的氧化层直至保留预设第三厚度的氧化层；形成第二栅氧层；填充第二掺杂的第二多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第二多晶硅层形成第二栅极。所述方法克服了IGBT器件中沟槽的氧化层下凹的缺陷，提高了IGBT器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112750695A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011450568.5

申请日：2020-12-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗海辉 ,  何逸涛 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上表面形成阻挡层；通过图形化阻挡层显露部分衬底的上表面，在显露的部分衬底的上表面刻蚀形成沟槽；形成第一栅氧层；填充第一掺杂的第一多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第一多晶硅层直至保留所述沟槽底部的第一多晶硅层，第一多晶硅层形成第一栅极；移除阻挡层；形成预设第一厚度的氧化层；磨去部分氧化层直至保留预设第二厚度的氧化层，再刻蚀预设第二厚度的氧化层直至保留预设第三厚度的氧化层；形成第二栅氧层；填充第二掺杂的第二多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第二多晶硅层形成第二栅极。所述方法克服了IGBT器件中沟槽的氧化层下凹的缺陷，提高了IGBT器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112447507B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201910818536.7

申请日：2019-08-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  罗湘 ,  杜龙欢 ,  刘少杰 ,  刘斌 ,  易彬

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明提供一种提高沟槽栅击穿特性的GOI测试样片制造方法，包括以下步骤：S1：在衬底硅片上沉积初始氧化层作为硬掩膜层；S2：光刻定义出沟槽的图案，根据所述图案在所述硬掩膜层上刻蚀，形成具有第一宽度的开口，其中所述第一宽度指的是所述开口在平行于所述硅片的方向上的距离；S3：通过所述开口在所述硅片上进行刻蚀，形成具有第一深度和第二宽度的沟槽，其中所述第二宽度大于所述第一宽度；S4：对所述硅片上形成的沟槽进行表面处理；S5：采用炉管生长栅氧化层，并在所述栅氧化层上沉积导电介质；S6：对所述掺杂多晶硅进行刻蚀形成栅极，并在所述硅片的背面进行金属化以形成背面电极。

公开(公告)号：CN112447507A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910818536.7

申请日：2019-08-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  罗湘 ,  杜龙欢 ,  刘少杰 ,  刘斌 ,  易彬

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明提供一种提高沟槽栅击穿特性的GOI测试样片制造方法，包括以下步骤：S1：在衬底硅片上沉积初始氧化层作为硬掩膜层；S2：光刻定义出沟槽的图案，根据所述图案在所述硬掩膜层上刻蚀，形成具有第一宽度的开口，其中所述第一宽度指的是所述开口在平行于所述硅片的方向上的距离；S3：通过所述开口在所述硅片上进行刻蚀，形成具有第一深度和第二宽度的沟槽，其中所述第二宽度大于所述第一宽度；S4：对所述硅片上形成的沟槽进行表面处理；S5：采用炉管生长栅氧化层，并在所述栅氧化层上沉积导电介质；S6：对所述掺杂多晶硅进行刻蚀形成栅极，并在所述硅片的背面进行金属化以形成背面电极。

公开(公告)号：CN109841516B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201711222289.1

申请日：2017-11-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢 ,  彭新华 ,  刘少杰

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种用于IGBT产品的磷扩散方法，其包括以下步骤：S1，采用RCA工艺清洗IGBT硅片；S2，将清洗后的IGBT硅片置于快速热处理机台中，通入氮气；S3，将置于快速热处理机台中的IGBT硅片升温至第一温度，通入氧气，在所述IGBT硅片的表面形成氧化层；S4，在所述第一温度下，通入氧气和携磷源气体对经氧化处理的IGBT硅片进行高温掺杂；S5，将高温掺杂得到的IGBT硅片降温至第二温度；S6，在所述第二温度下，对降温后的IGBT硅片进行低温掺杂；S7，将低温掺杂后的IGBT硅片冷却，得到磷掺杂的IGBT硅片。本发明时间短，效率高，热预算小，可获得结深浅和符合磷掺杂浓度要求的IGBT产品。