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公开(公告)号：CN116130512A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211679354.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/16 , H02M1/00
Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制备方法、电力变换装置。该半导体器件，包括：半导体层，具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面面，半导体层被划分出用于构造晶体管的晶体管区和用于构造二极管的二极管区，半导体层包括位于其第一侧表面中晶体管区所处区域内侧的多个源区；多个第一沟槽，设置在半导体层的第一侧表面中晶体管区所处区域上，多个第一沟槽内部分别设置栅极结构，栅极结构与源区相连；多个第二沟槽，设置在半导体层的第一侧表面中二极管区所处区域上，多个第二沟槽内部分别设置虚设栅极结构；第一电极，设置在半导体层的第一侧表面上，与多个源区导电接触，与栅极结构之间由层间介质层隔开，且与虚设栅极结构导电接触。
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公开(公告)号：CN116053134A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211651576.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本公开提供一种半导体器件的制备方法和半导体器件。半导体器件的制备方法包括：第一部分处理过程，包括全部工艺温度大于或等于900℃的处理步骤，以在半导体层的第一面上形成沟槽，在所述沟槽中形成栅极结构，在所述半导体层的所述第一面上形成第二导电类型的阱区，在所述阱区的表面内形成第一导电类型的源区，所述沟槽的深度大于所述阱区的深度；阈值电压调节过程，包括通过离子注入工艺至少调整所述阱区中用于形成反型层的区段中的部分区段的掺杂浓度；第二部分处理过程，全部工艺温度均小于或等于600℃。该制备方法可实现对阈值电压的精细调控，且对器件其他参数影响轻微。
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公开(公告)号：CN116013970A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211689656.X
申请日：2022-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、导通电压回跳的优化方法。该半导体器件包括：第一元件部分，所述第一元件部分位于衬底上，所述第一元件部分为绝缘栅双极型晶体管的工作区；以及第二元件部分，所述第二元件部分位于所述衬底上，所述第二元件部分为二极管的工作区；所述第一元件部分包括：第一集电极区、第一漂移区、第一基区、第二基区、至少一个第一接触区和多个第一沟槽；所述第二元件部分包括：第二集电极区、第二漂移区、第三基区和多个第二沟槽；所述半导体器件还包括：第一接触电极和第二接触电极。通过调节逆导IGBT芯片上FRD区多晶硅栅的掺杂类型，让FRD阳极更快产生空穴注入，从而尽早让FRD进入双极导通状态，降低导通压降，消除回跳。
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公开(公告)号：CN114242586A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111543886.0
申请日：2021-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 本申请提供了一种RC‑IGBT元胞的制备方法及RC‑IGBT芯片，该制备方法包括：对半导体基板进行处理并在其上形成由氧化层和多晶硅组成的栅极；在所述栅极的中部刻蚀出多个孔洞区；通过一具有预设结构的光刻版在所述孔洞区进行N+发射极的注入，其中注入有所述N+发射极的区域为IGBT区，未注入所述N+发射极的区域为FRD区。本申请提供的制备方法通过对条形栅极分段，通过在栅极的中部刻蚀出多个孔洞区，并利用有预设结构的光刻版在孔洞区合理布局N+发射极的位置，让没有被沟道短路的二极管部分率先进入电导调制状态，能有效降低VF，优化了VF‑shift。
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