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公开(公告)号：CN100511682C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610059879.2
申请日：2003-06-24
IPC: H01L27/04 , H01L27/115 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419958A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810169088.4
申请日：2008-10-20
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/78301 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01049 , H01L2924/01005
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供可以防止在半导体器件的引线的表面形成的镀膜上发生的晶须的技术。特别提供在以锡为主材料且不含有铅的镀膜中可以防止发生晶须的技术。在形成于引线表面上的镀膜中，以构成镀膜的锡的面方位中的、特定的面方位与引线的表面平行的方式形成镀膜。具体而言，以锡的(001)面与与引线的表面平行的方式构成镀膜。由此，可以使构成镀膜的锡的线膨胀系数小于构成引线的铜的线膨胀系数。
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公开(公告)号：CN1716589A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510078018.4
申请日：2005-06-10
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，可以抑制在以铜为主要构成材料的布线结构中因应力迁移而引起的空隙产生且可靠性高。在半导体衬底上的绝缘膜上形成的多层布线结构中，布线结构为：以与以铜为主要构成材料构成的第一布线的上表面相接的方式，从下依次至少层叠阻挡性高且具有压缩应力的第一绝缘膜、具有拉伸应力的第二绝缘膜、比上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜介电常数低的第三绝缘膜，设置通孔以便贯通上述第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜并与上述第一布线连接。
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公开(公告)号：CN100373609C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410029741.9
申请日：2004-03-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/314 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76814 , H01L21/76822 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76883 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线(20)的上表面的绝缘膜(16)上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜(21)，在绝缘膜(21)上形成由与低介电常数材料膜的粘合性优良的碳化硅膜组成的绝缘膜(22)，在绝缘膜(22)上，形成由低介电常数材料组成的绝缘膜(23)作为层间绝缘膜，之后，形成作为上层布线的布线(34)。使用绝缘膜(21)和绝缘膜(22)的层叠膜作为铜布线的阻挡绝缘膜，并将下层一侧的绝缘膜(21)做成高阻挡性的膜，将上层一侧的绝缘膜(22)做成高粘合性的膜。
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公开(公告)号：CN1954428A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015301.0
申请日：2005-05-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离强度提高。另外，在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。
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公开(公告)号：CN1536660A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410029741.9
申请日：2004-03-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/314 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76814 , H01L21/76822 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76883 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线(20)的上表面的绝缘膜(16)上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜(21)，在绝缘膜(21)上形成由与低介电常数材料膜的粘合性优良的碳化硅膜组成的绝缘膜(22)，在绝缘膜(22)上，形成由低介电常数材料组成的绝缘膜(23)作为层间绝缘膜，之后，形成作为上层布线的布线(34)。使用绝缘膜(21)和绝缘膜(22)的层叠膜作为铜布线的阻挡绝缘膜，并将下层一侧的绝缘膜(21)做成高阻挡性的膜，将上层一侧的绝缘膜(22)做成高粘合性的膜。
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