公开(公告)号：CN101419958A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810169088.4

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 大仓康孝 ,  岩崎富生 ,  寺崎健

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供可以防止在半导体器件的引线的表面形成的镀膜上发生的晶须的技术。特别提供在以锡为主材料且不含有铅的镀膜中可以防止发生晶须的技术。在形成于引线表面上的镀膜中，以构成镀膜的锡的面方位中的、特定的面方位与引线的表面平行的方式形成镀膜。具体而言，以锡的(001)面与与引线的表面平行的方式构成镀膜。由此，可以使构成镀膜的锡的线膨胀系数小于构成引线的铜的线膨胀系数。