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公开(公告)号：CN100580875C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810008863.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/78 , H01L21/607 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/29 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/298 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19043 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。
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公开(公告)号：CN102694113A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210075913.0
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括叠置体、第一和第二电极、第一和第二互连、第一和第二柱以及第一绝缘层。叠置体包括第一和第二半导体层和发光层。第一和第二电极分别连接到第一和第二半导体层。第一和第二互连分别连接到第一和第二电极。第一和第二柱分别连接到第一和第二互连。第一绝缘层设置在所述互连和所述柱上。第一和第二柱具有在第一绝缘层的表面中暴露的第一和第二监视焊盘。第一和第二互连具有在与第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一和第二键合焊盘。
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公开(公告)号：CN102650387A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210046675.0
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: F21K9/1355 , F21K9/23 , F21V23/02 , F21V29/75 , F21V29/76 , F21Y2115/10
Abstract: 一种照明装置，包括：外壳、电源单元和发光单元。外壳具有侧部，该侧部设置在与从电源单元朝发光单元的方向平行的第一轴线的周围。该侧部具有设置在与第一轴线平行的中央轴线周围的第一部分和第二部分。第一部分具有到中央轴线的长距离。第二部分具有到中央轴线的短距离。当通过垂直于中央轴线的截面切开内表面时，第二部分的内表面的端部具有从垂直于中央轴线的部分与具有相对于中央轴线的凹进结构的部分中选择的至少一种。
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公开(公告)号：CN101388375A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149113.2
申请日：2008-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/4952 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4554 , H01L2224/456 , H01L2224/45647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85909 , H01L2224/8592 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2224/85 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种可靠性高并且容易制造，同时不增大半导体器件的大小就能够进一步降低内部电阻的半导体器件及其制造方法。具备：半导体元件(2)、引线(3)、将半导体元件(2)的电极(2a)和引线(3)电连接起来的布线构件(4)，其中布线构件(4)至少被具有导电性的材料覆盖。
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公开(公告)号：CN101261971A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810082197.2
申请日：2008-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面(5a)上配设有半导体元件的第一电极(5a1)并且与第一表面(5a)相对置的第二表面(5b)上配设有半导体元件的第二电极(5b1)的半导体芯片(5)；连接在第一表面(5a)上的第一导电性部件(6a)；连接在第二表面(5b)上的第二导电性部件(6b)；与第一导电性部件(6a)连接并且具有比第一导电性部件(6a)大的连接面积的第一外部电极(2a)；与第二导电性部件(6b)连接，并且具有比第二导电性部件(6b)大的连接面积的第二外部电极(2b)；以及在第一和第二外部电极(2b、2b)之间利用加热进行熔融及硬化来密封半导体芯片(5)和导电性部件(6)的密封材料(3)。
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公开(公告)号：CN101254892A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810082278.2
申请日：2008-02-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81B7/0077 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在具有MEMS部的半导体装置中可以提高制造成品率并提高生产率，并且确保高可靠性。该半导体装置具有：半导体基板(2)；MEMS部(3)，形成于半导体基板(2)表面；以及，盖部，与MEMS部(3)离开距离配置，覆盖MEMS部(3)地设置于半导体基板(2)的表面；上述盖部由包围MEMS部(3)的侧壁区域(E)和具有中空层且同半导体基板(2)及侧壁区域(E)一起形成封闭空间的顶板区域(F)构成。
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公开(公告)号：CN105937731A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610059921.4
申请日：2016-01-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: F21V29/505 , F21V7/04 , F21V23/02 , F21V29/70 , F21Y2115/10 , F21S8/00 , F21V7/00
Abstract: 一个实施方式涉及的照明装置具备光源、反射体及导热部件。上述光源具有发光元件。上述反射体被设置为包围上述光源。上述导热部件被设置于上述反射体的外侧。上述导热部件与上述反射体热性接合。
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公开(公告)号：CN104934400A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510099075.4
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L21/4803 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L23/3121 , H01L23/49517 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/48247 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够谋求小型化、可靠性的提高的半导体装置。根据一个实施方式，第一半导体元件的第一电极连接于第一导电体，第一半导体元件的第二电极连接于第二导电体，第一半导体元件的控制电极连接于第一信号端子。第二半导体元件的第一电极连接于第一导电体，第二半导体元件的第二电极连接于第二导电体。第三半导体元件的第一电极连接于第三导电体，第三半导体元件的第二电极连接于第四导电体，第三半导体元件的控制电极连接于第二信号端子。第四半导体元件的第一电极连接于第三导电体，第四半导体元件的第二电极连接于第四导电体。
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公开(公告)号：CN102270721B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110159444.6
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/647 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件和光学层。发光单元包括半导体堆叠体以及第一和第二电极。半导体堆叠体包括第一和第二半导体层以及发光层，并且具有在第二半导体层侧的主表面。第一和第二电极分别连接到主表面侧的第一和第二半导体层。第一导电构件连接到第一电极并且包括覆盖第二半导体层的一部分的第一柱状部分。绝缘层设置在第一柱状部分和第二半导体层的所述部分之间。密封构件覆盖导电构件的侧表面。光学层设置在其它主表面上。
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公开(公告)号：CN102270709A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010283884.8
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2933/0066
Abstract: 一种发光装置的制造方法，具有：在衬底上层积具有发光层的半导体层并形成第一构造体的工序；在半导体层上形成第一电极及第二电极的工序；在半导体层上形成与第一电极导通的第一金属柱和与第二电极导通的第二金属柱的工序；在第一金属柱及第二金属柱之间埋入树脂的工序；以及，将衬底从半导体层剥离，形成通过树脂支承半导体层，并在树脂的与半导体层相反的一侧成为凸起的第二构造体的工序。
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