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公开(公告)号：CN102270710B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110192487.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
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公开(公告)号：CN103828053A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280044655.8
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/24 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 公开了一种包括多个芯片（3）半导体发光器件（10a）。每一个所述芯片（3）包括：半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面（15a）相对的一侧的第二面、以及发光层（12a）；以及被设置在所述第二面上的p侧电极（16）和n侧电极（17），并且每一个所述芯片（3）彼此分离开。p侧外部端子（23a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述p侧电极（16）的p侧金属柱（23）的端面。n侧外部端子（24a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述n侧电极（17）的n侧金属柱（24）的端面。层（25）将p侧金属柱（23）与n侧金属柱（24）分离开，并且具有比所述半导体层（15）的硬度更低的硬度。
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公开(公告)号：CN103403890A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180069018.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/28 , H01L23/49805 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。
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公开(公告)号：CN102270708A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010282835.2
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/11 , H01L2224/14104 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的发光装置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜的工序；以及从基板的与第一主面相反一侧的第二主面一侧，向半导体层照射激光，从而从半导体层剥离基板的工序。第二绝缘膜的带隙能量和半导体层的带隙能量比激光的能量小，在第一绝缘膜中的覆盖半导体层的侧面的部分，激光不到达发光层的深度。
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公开(公告)号：CN103403889B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280010835.4
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、无机绝缘膜(14)、p侧互连部分(21)、n侧互连部分(22)和有机绝缘膜(20)。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部(21b)和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部(22b)重叠在有机绝缘膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683557B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210068814.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/0079 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。
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公开(公告)号：CN102270722B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110070617.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面、与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一电极被设置于第二主表面上的包括发光层的区域上。第二电极被设置于第二主表面上并且在平面图中至少部分内插到第一电极里面。
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公开(公告)号：CN103415937A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201180068665.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H05K1/181 , H05K2201/10106 , H05K2201/10454 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件(10)包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、第一绝缘层(18)、p侧互连层(21)、n侧互连层(22)和第二绝缘层(25)。第二p侧互连层(21)的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的p侧外部端子(23a)，所述第三表面具有不同于第一表面和第二表面的平面取向。第二n侧互连层的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的n侧外部端子(24a)。
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公开(公告)号：CN103035826A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210433703.4
申请日：2012-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/15 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
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公开(公告)号：CN102683557A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210068814.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/0079 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。
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